[實用新型]一種超高頻智能標簽

有效

• 申請號: 201922045310.6
• 申請日: 2019-11-25
• 公開（公告）號: CN210776770U
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 毛久樂;毛久偉
• 申請（專利權）人: 尤尼菲德（蘇州）智能科技有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01Q1/22;H01Q1/38
• 代理公司: 蘇州市小巨人知識產權代理事務所(普通合伙) 32415
• 代理人: 凌立

1.一種超高頻智能標簽，包括分別設有超高頻天線和標簽芯片的載體絕緣膜，其特征在于，所述超高頻天線采用圍繞分布在所述載體絕緣膜外周的導電圖型，所述導電圖型與所述載體絕緣膜中心的最小距離大于所述導電圖型與所述載體絕緣膜邊緣的最小距離；所述標簽芯片位于所述載體絕緣膜的偏心一側，且其正負兩極通過矩型線狀導電圖型與所述導電圖型電連接，使得所述載體絕緣膜內周形成可貼合外部智能標簽的空白區域。

2.根據權利要求1所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述矩型線狀導電圖型一側形成用于分別與所述標簽芯片正負兩極電連接的兩個輸入端，且另一側與所述導電圖型電連接。

3.根據權利要求1所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述導電圖型與所述載體絕緣膜邊緣的最小距離不大于5mm；且所述導電圖型與所述載體絕緣膜中心的最小距離不小于12mm。

4.根據權利要求1所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述導電圖型包括第一直線狀導電圖型單元，以及位于所述第一直線狀導電圖型單元兩側且與其分別垂直相交的第二直線狀導電圖型單元和第三直線狀導電圖型單元，其中，所述矩型線狀導電圖型與所述第一直線狀導電圖型單元電連接。

5.根據權利要求4所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述第一直線狀導電圖型單元的寬度小于所述第二直線狀導電圖型單元的寬度，且大于所述第三直線狀導電圖型單元的寬度。

6.根據權利要求4所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述載體絕緣膜采用包括長邊和寬邊的長方型形狀；所述第一直線狀導電圖型單元與所述長邊平行，且其與所述載體絕緣膜中心的距離是其與所述長邊邊緣的最小距離的至少2倍。

7.根據權利要求4所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述第三直線狀導電圖型單元的端部還電連接矩形導電圖型，所述矩形導電圖型位于所述矩型線狀導電圖型的下方。

8.根據權利要求7所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述矩形導電圖型邊緣與所述矩型線狀導電圖型邊緣處于平齊狀態。

9.根據權利要求7所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述矩形導電圖型與所述載體絕緣膜邊緣的最小距離小于所述第二直線狀導電圖型單元與所述載體絕緣膜邊緣的最小距離。

10.根據權利要求1所述的超高頻智能標簽，其特征在于，所述載體絕緣膜的面積范圍為2500-4000cm²，所述空白區域的面積范圍不小于1400cm²。