[實用新型]一種氣密封裝器件

有效

• 申請號: 201922044538.3
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN210956645U
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 李仕俊;常青松;要志宏;徐達;張延青;劉曉紅;陳中平;宋學峰;楊陽陽;王雪敏;王飛
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/367;H01L23/48;H01L25/18
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本實用新型公開了一種氣密封裝器件，陶瓷基板，設有貫穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，所述陶瓷基板的通孔內部填充金屬漿料，所述通孔內的金屬漿料記為金屬柱；金屬圍框，設置在所述陶瓷基板的上面；射頻芯片，安裝在所述陶瓷基板上金屬圍框的內部，所述射頻芯片的射頻線和控制線通過所述陶瓷基板上的金屬柱引出；蓋板，焊接在所述金屬圍框上表面，所述陶瓷基板、所述金屬圍框和所述蓋板形成容納所述射頻芯片的氣密結構。本實用新型陶瓷基板的通孔內注入金屬漿料，由于射頻芯片的射頻線通過所述陶瓷基板上的金屬柱引出，在保證芯片氣密封裝的同時還能夠提高氣密封裝器件的散熱，從而提高氣密封裝器件的一致性。

技術領域

本實用新型涉及管殼封裝技術領域，尤其涉及一種氣密封裝器件。

背景技術

從幾百兆的蜂窩通訊網絡，到現行4G通信和馬上普及的工作頻率在幾十吉赫茲的5G通信，再到THz領域，射頻微波電路的工作頻段越來越高。相應的射頻電路封裝雖然多次迭代升級，但是在集成度方面顯現出越來越多的不足，不能滿足未來高頻芯片的封裝要求。

射頻芯片的封裝主要分為塑封、金屬封裝、陶瓷封裝三類。塑封氣密性較差，一般用于對可靠性要求較低的場合。金屬封裝的尺寸和重量較大，不利于提升集成度。陶瓷封裝中，LTCC-低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic)或HTCC-高溫共燒陶瓷(High Temperature co-fired Ceramic)作為底板的空腔封裝是現行主流封裝模式，但LTCC或HTCC管殼在燒結過程中，常出現底板變形，造成高頻芯片封裝的一致性不夠，使內部高頻芯片使用時穩定性差。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種氣密封裝器件，旨在解決目前高頻芯片封裝一致性差的問題。

本實用新型實施例的提供了一種氣密封裝器件，包括：

陶瓷基板，設有貫穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，所述陶瓷基板的通孔內部填充金屬漿料，所述通孔內的金屬漿料記為金屬柱；

金屬圍框，設置在所述陶瓷基板的上面；

射頻芯片，安裝在所述陶瓷基板上金屬圍框的內部，所述射頻芯片的射頻線和控制線分別通過所述陶瓷基板上的金屬柱引出；

蓋板，焊接在所述金屬圍框上表面，所述陶瓷基板、所述金屬圍框和所述蓋板形成容納所述射頻芯片的氣密結構。

在本申請的實施例中，連接所述射頻芯片的射頻線的金屬柱記為導通柱，所述導通柱的外圍還設有一圈金屬柱形成的射頻信號屏蔽結構。

在本申請的實施例中，所述金屬圍框包括：金屬外圍墻；

當所述射頻芯片為至少兩個，且所述射頻芯片之間需要隔離時，所述金屬圍框還包括：隔離墻，需要隔離的多個射頻芯片位于不同的氣密空間中，氣密空間之間通過所述隔離墻隔離。

在本申請的實施例中，所述氣密封裝器件還包括：

金屬種子層，設置在所述陶瓷基板上，所述金屬種子層的第一區域用于制備金屬圍框，所述金屬種子層的第二區域用于表貼射頻芯片，所述金屬種子層的第三區域用于加厚所述導通柱和所述導通柱外圍的射頻信號屏蔽結構；

金屬下種子層，設置在所述陶瓷基板下，所述金屬下種子層的第一區域用于制備下金屬。

在本申請的實施例中，所述氣密封裝器件還包括：

表面導體層，設置在所述金屬種子層上，表面導體層的第一區域用于制備金屬圍框，所述表面導體層的第二區域用于表貼射頻芯片，所述表面導體層的第三區域用于加厚所述導通柱和所述導通柱外圍的射頻信號屏蔽結構；

表面下導體層，設置在所述金屬下種子層下。

在本申請的實施例中，所述氣密封裝器件還包括：