[實(shí)用新型]光學(xué)式感測(cè)裝置和電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922026809.2 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN212161813U | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董佳群;林峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳阜時(shí)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146;G06K9/00;G06K9/20 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市南山*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 式感測(cè) 裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，包括：
感光模塊，用于接收光束，并轉(zhuǎn)換接收到的光束為相應(yīng)的電信號(hào)；和
鏡頭模塊，包括：
第一基板，包括相對(duì)的上表面和下表面，所述上表面的一側(cè)為所述第一基板的上方，所述下表面的一側(cè)為所述基板的下方，所述感光模塊位于所述第一基板的下方；
多個(gè)第一透鏡，設(shè)置在所述上表面上，所述多個(gè)第一透鏡彼此間隔設(shè)置，所述多個(gè)第一透鏡用于會(huì)聚光束至所述感光模塊；和
遮光部，設(shè)置在所述上表面上，所述遮光部位于所述多個(gè)第一透鏡之間的間隔區(qū)域且在高度上高出所述第一透鏡，所述遮光部用于遮擋光束。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述感光模塊包括多個(gè)像素單元，用于將接收到的光束轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，每個(gè)所述第一透鏡分別正對(duì)多個(gè)所述像素單元，或者，所述多個(gè)第一透鏡中的部分中的每個(gè)分別正對(duì)多個(gè)所述像素單元。
3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，定義所述多個(gè)像素單元上能夠透過(guò)所述第一透鏡而接收到光束的區(qū)域?yàn)橛行Ц泄鈪^(qū)域，每一有效感光區(qū)域分別正對(duì)一所述第一透鏡，透過(guò)所述第一透鏡的光束會(huì)聚到與所述第一透鏡相正對(duì)的有效感光區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述遮光部在高度上高出所述第一透鏡，用以使得透過(guò)一所述第一透鏡的光束中的部分或全部不會(huì)傳輸?shù)洁徑幕蚱溆嗟牡谝煌哥R所正對(duì)的有效感光區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述遮光部包括擋墻和遮光層，所述擋墻位于所述上表面與所述遮光層之間，所述遮光層用于遮擋光束。
6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述擋墻與所述第一透鏡由相同的透光材料制成。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述遮光部包括擋墻和遮光層，所述遮光層形成在所述上表面上，并具有曝露所述上表面的多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)第一透鏡形成在所述遮光層上方，所述第一透鏡與一所述開(kāi)口相正對(duì)且與遮光層的邊緣部分交疊，所述擋墻形成在所述遮光層上并位于所述第一透鏡之間的間隔區(qū)域，其中，所述遮光層和所述擋墻用于遮擋光束。
8.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，對(duì)于位于兩相鄰的第一透鏡以及位于所述兩相鄰的第一透鏡之間的遮光部：所述遮光部在高度上高出所述兩相鄰的第一透鏡，能夠使得透過(guò)一所述第一透鏡的光束中的部分或全部不會(huì)傳輸?shù)搅硪凰龅谝煌哥R所正對(duì)的有效感光區(qū)域。
9.如權(quán)利要求5或7所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述擋墻至所述上表面的最高高度高于所述第一透鏡至所述上表面的最高高度。
10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述遮光部在高度上高出所述第一透鏡的數(shù)值達(dá)5微米至100微米中的任意數(shù)值。
11.如權(quán)利要求10所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述遮光部在高度上高出所述第一透鏡的數(shù)值達(dá)5微米至10微米中的任意數(shù)值。
12.如權(quán)利要求5或7所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，相鄰的第一透鏡之間的節(jié)距為300微米至500微米中的任意數(shù)值。
13.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述多個(gè)第一透鏡呈陣列排布，所述多個(gè)像素單元呈陣列排布。
14.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)式感測(cè)裝置，其特征在于，所述感光模塊與所述鏡頭模塊之間通過(guò)點(diǎn)膠的方式進(jìn)行固定。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
