[實用新型]熱交換臺和應(yīng)用其的晶硅鑄錠爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922023366.1
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN211445996U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王萬勝;陳偉;李林東;王全志;周碩
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B11/00
• 代理公司: 蘇州攜智匯佳專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32278
• 代理人: 錢偉

本實用新型公開了一種晶硅鑄錠爐，其包括用以盛放硅料的坩堝和承載上述坩堝的熱交換臺，所述熱交換臺包括主體區(qū)和位于該主體區(qū)角落處的角區(qū)，所述角區(qū)的熱傳導(dǎo)效率低于所述主體區(qū)的熱傳導(dǎo)效率。由于角區(qū)的單位面積熱傳導(dǎo)效率低于主體區(qū)的單位面積熱傳導(dǎo)效率，減少長晶角部硅塊的底部散熱，進而縮小坩堝角部的縱向溫度梯度，減少角部硅塊的位錯，提升晶體品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及晶硅太陽能領(lǐng)域，尤其涉及一種熱交換臺和應(yīng)用其的晶硅鑄錠爐。

背景技術(shù)

在光伏行業(yè)中，“鑄造單晶”是通過多晶設(shè)備及工藝來制造單晶硅材料的技術(shù)，其兼具多晶成本優(yōu)勢及單晶電池轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢。傳統(tǒng)鑄造多晶爐由于對生長界面沒有嚴格要求，多采用隔熱籠散熱方式，長晶階段熱量通過提升隔熱籠逸散，為晶體生長提供溫度梯度。然而，鑄造單晶技術(shù)由于對生長界面有所要求，所以多采用底部水冷散熱方式，相較于傳統(tǒng)多晶爐，熱交換臺的形狀對于界面有很大影響。現(xiàn)有四方形的熱交換臺已經(jīng)無法滿足鑄造單晶技術(shù)的需求。

實用新型內(nèi)容

為解決上述問題，本實用新型提供一種熱交換臺和應(yīng)用其的晶硅鑄錠爐，以提升硅錠品質(zhì)。

本實用新型實施例提供的具體方案如下：

一種晶硅鑄錠爐，包括用以盛放硅料的坩堝和承載上述坩堝的熱交換臺，所述熱交換臺包括主體區(qū)和位于該主體區(qū)角落處的角區(qū)，所述角區(qū)的單位面積熱傳導(dǎo)效率低于所述主體區(qū)的單位面積熱傳導(dǎo)效率。

進一步的，所述角區(qū)的厚度小于所述主體區(qū)的厚度。

進一步的，所述主體區(qū)和所述角區(qū)分別具有面向坩堝的承載面，且兩者的承載面共同構(gòu)成矩形，所述角區(qū)的承載面呈直角三角形。

進一步的，所述主體區(qū)的厚度d1和所述角區(qū)的厚度d2滿足：1/6≤d2/d1≤1/2。

進一步的，所述主體區(qū)的厚度d1和所述角區(qū)的厚度d2滿足：

100mm≤d1≤140mm；20mm≤d2≤60mm。

進一步的，所述直角三角形的直角邊的邊長l滿足：l≤110mm。

進一步的，所述角區(qū)和所述主體區(qū)采用不同熱傳導(dǎo)性能的材料制成。

本申請實施例可以達到如下技術(shù)效果：

本實用新型提供的散熱平臺，由于角區(qū)的單位面積熱傳導(dǎo)效率低于主體區(qū)的單位面積熱傳導(dǎo)效率，從而減少長晶角部硅塊的底部散熱，進而縮小坩堝角部的縱向溫度梯度，減少角部硅塊的位錯，提升晶體品質(zhì)。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的鑄錠爐的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的熱交換平臺的俯視圖；

圖3是本實用新型實施例提供的熱交換平臺的立體圖。

具體實施方式

在現(xiàn)有的鑄錠爐中，由于熱傳導(dǎo)臺(用于將坩堝的熱量向下傳導(dǎo))形狀是四方形，其角部的散熱能力等同于中部的散熱能力，硅錠底部的橫向溫度梯度較小。但由于角部距離加熱器(通常加熱器設(shè)置于坩堝四側(cè))較近，且是雙側(cè)加熱器都對其加熱，導(dǎo)致角部硅塊頂部溫度較高，中心硅塊頂部溫度較低，使用四方形熱傳導(dǎo)臺會使角部硅塊縱向溫度梯度變大，角部硅塊頂?shù)诇夭钶^大，進而導(dǎo)致角部硅塊位錯增多，影響硅錠品質(zhì)以及良率。為此提出了本實用新型的方案。