[實用新型]一種功率半導體器件浪涌電流承受能力檢測系統有效
| 申請號： | 201922021085.2 | 申請日： | 2019-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN211785911U | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 陳中圓;楊曉亮;李翠;陳艷芳;張西子;孫帥;李金元 | 申請（專利權）人： | 全球能源互聯網研究院有限公司;國網山東省電力公司電力科學研究院 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 半導體器件 浪涌 電流 承受能力 檢測 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種功率半導體器件浪涌電流承受能力檢測系統，其特征在于，所述系統包括：電源裝置、輔助IGBT器件、輔助IGBT器件對應的驅動單元、被測功率半導體器件和被測功率半導體器件對應的驅動單元；
所述電源裝置的正極分別與所述輔助IGBT器件的集電極和被測功率半導體器件的集電極連接；
所述電源裝置的負極分別與所述輔助IGBT器件的發射集和被測功率半導體器件的發射極連接；
所述電源裝置的負極與輔助IGBT器件的柵極之間接有所述輔助IGBT器件對應的驅動單元；
所述電源裝置的負極與被測功率半導體器件的柵極之間接有所述被測功率半導體器件對應的驅動單元。
2.如權利要求1所述的系統，其特征在于，所述輔助IGBT器件由IGBT與二極管反并聯組成。
3.如權利要求1所述的系統，其特征在于，所述被測功率半導體器件的電流/電壓等級不超過所述輔助IGBT器件的電流/電壓等級。
4.如權利要求1所述的系統，其特征在于，所述電源裝置的最大輸出電流超過30kA。
5.如權利要求1所述的系統，其特征在于，所述被測功率半導體器件包括：晶閘管、IGBT、IEBT和電力電子積木。
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