[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922016301.4
• 申請(qǐng)日: 2019-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210723084U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桂亮亮;劉傳桂;黃照明;蔡家豪;汪琴;汪玉;張家豪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/44
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/44
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

一種發(fā)光二極管，至少包括依次層疊的襯底、第一類(lèi)型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二類(lèi)型半導(dǎo)體層、保護(hù)層以及分別與第一類(lèi)型半導(dǎo)體層和第二類(lèi)型半導(dǎo)體層電性連接的第一電極和第二電極，其特征在于：所述保護(hù)層表面設(shè)置疏水層。本實(shí)用新型在保護(hù)層表面設(shè)置疏水層，減少水汽在LED表面的粘附，從而改善因水汽而導(dǎo)致的死燈及金屬遷移異常。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種表面具有疏水層的發(fā)光二極管，可以有效改善死燈和金屬遷移異常。

背景技術(shù)

常規(guī)的發(fā)光二極管（LED）表面覆蓋二氧化硅等材料作為保護(hù)層（PV），以保護(hù)發(fā)光二極管表面免受臟污污染和水氧腐蝕等。然而由于PV表層特殊的親水性能，易導(dǎo)致PV表層形成水滴聚集，從而使得電極附近區(qū)域存在水汽殘留，殘留的水汽形成電解質(zhì)環(huán)境，進(jìn)而導(dǎo)致金屬在電化學(xué)作用下的遷移，并且由于水汽殘留，易形成短路從而導(dǎo)致芯粒燒死情況。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管，在其表面設(shè)置疏水層，減少LED表面的水汽殘留，從而改善其死燈和金屬遷移異常。具體技術(shù)方案如下：

一種發(fā)光二極管，至少包括依次層疊的襯底、第一類(lèi)型半導(dǎo)體層 、發(fā)光層、第二類(lèi)型半導(dǎo)體層、保護(hù)層以及分別與第一類(lèi)型半導(dǎo)體層和第二類(lèi)型半導(dǎo)體層電性連接的第一電極和第二電極，其特征在于：所述保護(hù)層表面設(shè)置疏水層。

優(yōu)選的，所述疏水層為高分子樹(shù)脂膜。進(jìn)一步地，所述高分子樹(shù)脂膜包括丙烯酸酯膜、聚四氟乙烯膜或碳納米管膜。

優(yōu)選的，所述疏水層為T(mén)iO₂納米膜。

優(yōu)選的，所述疏水層的厚度為10~1000埃。

優(yōu)選的，所述保護(hù)層為二氧化硅層、碳化硅層、氮化硅層或者三氧化二鋁層中的一種或者幾種的組合。

優(yōu)選的，所述第二類(lèi)型半導(dǎo)體層和第二電極之間還設(shè)置有用于擴(kuò)展電流的電流擴(kuò)展層。進(jìn)一步地，所述電流擴(kuò)展層包括氧化銦錫層、氧化鋅層、氧化鋅銦錫層、氧化銦鋅層、氧化鋅錫層、氧化鎵銦錫層、氧化鎵銦層、氧化鎵鋅層、摻雜鋁的氧化鋅層或摻雜氟的氧化錫層中的一種或者幾種的組合。

優(yōu)選的，所述第二類(lèi)型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)展層之間還設(shè)置有用于阻擋電流的電流阻擋層。進(jìn)一步地，所述電流阻擋層包括二氧化硅層、碳化硅層、氮化硅層或三氧化鋁層中的一種或者幾種的組合。

本實(shí)用新型在LED的保護(hù)層表面設(shè)置疏水層，減少水汽在LED表面的粘附和殘留，從而改善因水汽而導(dǎo)致的LED死燈及金屬遷移異常。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型之發(fā)光二極管截面圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，本實(shí)用新型的附圖均采用非常簡(jiǎn)化的非精準(zhǔn)比例，僅用以方便、明晰的輔助說(shuō)明本實(shí)用新型。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管，至少包括依次層疊的襯底10、第一類(lèi)型半導(dǎo)體層21、發(fā)光層22、第二類(lèi)型半導(dǎo)體層23、保護(hù)層30以及分別與第一類(lèi)型半導(dǎo)體層21和第二類(lèi)型半導(dǎo)體層23電性連接的第一電極41和第二電極42。

其中，襯底10的材質(zhì)材料是選自Al₂O₃、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、 Si、ZnO、MnO及上述的任意組合中擇其中之一。本實(shí)施例的的外延成長(zhǎng)襯底10以藍(lán)寶石襯底10（sapphiresubstrate）為例說(shuō)明，晶格方向例如為(0001)，但本發(fā)明不限制所使用的襯底10材質(zhì)與晶格方向。可以對(duì)襯底10進(jìn)行圖形化處理，改變光的傳播路徑，提升發(fā)光二極管的出光效率。