[實用新型]一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922014145.8 | 申請日: | 2019-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN210879179U | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃安基 | 申請(專利權(quán))人: | 福建省南安市宏煒新材料有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/11 | 分類號: | B24B37/11;B24B37/27;B24B37/34;B24B55/03 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 362000 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 陶瓷 多方 研磨 拋光機 | ||
1.一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,包括底座,所述底座為方體結(jié)構(gòu),其特征是:所述底座上設(shè)有拋光槽,所述拋光槽包括拋光槽環(huán)和拋光槽底盤,所述拋光槽底盤上端表面設(shè)有第一研磨紋路,所述拋光槽環(huán)側(cè)壁內(nèi)側(cè)環(huán)繞連續(xù)性設(shè)有豎直方向的第一齒槽;所述拋光槽中部設(shè)有動力圓盤,所述動力圓盤為圓柱形結(jié)構(gòu),所述動力圓盤外側(cè)面環(huán)繞連續(xù)性設(shè)有豎直方向的第二齒槽;所述拋光槽內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個研磨盤,所述研磨盤為圓盤形結(jié)構(gòu),所述研磨盤邊緣環(huán)繞連續(xù)性設(shè)有豎直方向的第三齒槽,所述研磨盤直徑方向一端與所述第一齒槽嚙合,所述研磨盤直徑方向另一端與所述第二齒槽嚙合;所述研磨盤內(nèi)貫穿設(shè)有復(fù)數(shù)個圓形結(jié)構(gòu)的物料固定槽,所述物料固定槽內(nèi)設(shè)有環(huán)形結(jié)構(gòu)的固定墊;所述拋光槽上方設(shè)有下壓拋光盤,所述下壓拋光盤下端面均勻設(shè)有第二研磨紋路,所述下壓拋光盤上端面設(shè)有研磨冷卻液注入孔,所述下壓拋光盤上方固定設(shè)有用于存放研磨冷卻液的箱體,所述箱體通過設(shè)置管道將研磨冷卻液導(dǎo)入研磨冷卻液注入孔,所述研磨冷卻液通過第二研磨紋路進入到拋光槽內(nèi)部;所述底座上端面邊緣設(shè)有油缸機構(gòu),所述油缸機構(gòu)通過設(shè)置水平方向的連接件連接所述下壓拋光盤,所述下壓拋光盤沿所述油缸機構(gòu)豎直方向下壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,其特征是:所述第一研磨紋路和所述第二研磨紋路均為菱形紋路槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,其特征是:所述固定墊內(nèi)側(cè)側(cè)面環(huán)繞連續(xù)性設(shè)有第四齒槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,其特征是:所述下壓拋光盤上端面設(shè)有用于固定所述管道的固定基座。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,其特征是:所述下壓拋光盤上端面設(shè)有用于固定所述管道的固定基座。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5所述的一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,其特征是:所述固定墊為橡膠材質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5所述的一種氮化硅陶瓷基片多方向研磨拋光機,其特征是:所述下壓拋光盤上設(shè)有用于驅(qū)動所述動力圓盤的電機機構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于福建省南安市宏煒新材料有限公司,未經(jīng)福建省南安市宏煒新材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922014145.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種基于移動終端實現(xiàn)多方通話業(yè)務(wù)的裝置及方法
- 基于SIP協(xié)議的多方會議通信方法
- 移動終端多方通話實現(xiàn)方法、系統(tǒng)、終端和多方通話平臺
- 多方通信控制系統(tǒng)、多方通信系統(tǒng)及多方通信處理方法
- 一種多方呼叫方法及服務(wù)器、業(yè)務(wù)控制點及多方呼叫系統(tǒng)
- 多方通話的轉(zhuǎn)換方法、裝置及多通終端
- 在多方通話中轉(zhuǎn)換主持方的實現(xiàn)方法、裝置及移動終端
- 基于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)樹的船舶總體設(shè)計多方案動態(tài)配置方法
- 一種螺紋連接長度調(diào)節(jié)裝置
- 驗證多方安全計算軟件的方法、裝置和用于驗證的裝置





