[實(shí)用新型]一種硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921996296.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN210666088U | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱云鵬;田斌;黃小偉;夏曉亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 杭州芯耘光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/14 | 分類號(hào)： | G02B6/14;G02B6/122;G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 311110 浙江省杭州市余*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 光光 模式 轉(zhuǎn)換器 | ||
1.一種硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：包括二氧化硅懸臂、過渡波導(dǎo)、主波導(dǎo)、硅襯底、第一包層、第二包層、第三包層，所述第一包層置于所述硅襯底上方，所述主波導(dǎo)置于第一包層上方，所述主波導(dǎo)與過渡波導(dǎo)中間為第二包層，所述過渡波導(dǎo)上設(shè)置第三包層；
所述二氧化硅懸臂接于過渡波導(dǎo)外側(cè)，所述二氧化硅懸臂光路中心與所述過渡波導(dǎo)光路中心在同一縱向截面；
所述二氧化硅懸臂寬度沿輸入光路方向逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述二氧化硅懸臂在其寬度方向設(shè)置為臺(tái)階狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述二氧化硅懸臂在其高度方向設(shè)置為臺(tái)階狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述過渡波導(dǎo)兩端橫截面為倒錐形，所述主波導(dǎo)接近過渡波導(dǎo)的一端橫截面為倒錐形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述主波導(dǎo)為硅波導(dǎo)，所述過渡波導(dǎo)折射率范圍在1.445-3.42之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述過渡波導(dǎo)為氮化硅或氮氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述二氧化硅懸臂設(shè)置在模斑模式轉(zhuǎn)換器前段，所述第一包層、第二包層、第三包層為二氧化硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅光光模斑模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述主波導(dǎo)厚度為210±10 nm，所述過渡波導(dǎo)厚度范圍為400±15 nm，所述第一包層厚度范圍為2-4 μm，所述第二包層厚度范圍為80±1 nm，所述第三包層厚度范圍為6.5-8.5 μm。
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