[實用新型]一種降低等效介電常數的轉接板結構

有效

• 申請號: 201921982402.0
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN210467766U
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 周云燕;宗小雪;楚姣;曹立強
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種降低等效介電常數的轉接板結構，包括：

第一轉接板；

第一導電通孔，所述第一導電通孔貫穿設置在所述第一轉接板內；

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一轉接板的上表面；

第一布局布線層，所述第一布局布線層設置在所述第一絕緣層上方，且與所述第一導電通孔電連接；

第二轉接板，所述第二轉接板的設置在所述第一轉接板的下方；

第二導電通孔，所述第二導電通孔貫穿設置在所述第二轉接板內，且與所述第一導電通孔電連接；

第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二轉接板的下表面；

第二布局布線層，所述第二布局布線層設置在所述第二絕緣層的下方，且與所述第二導電通孔電連接；以及

內部空腔，所述內部空腔設置在所述第一轉接板與所述第二轉接板的鍵合面附近。

2.如權利要求1所述的降低等效介電常數的轉接板結構，其特征在于，所述第一布局布線層和或第二布局布線層具有M層，其中M≥2。

3.如權利要求1所述的降低等效介電常數的轉接板結構，其特征在于，所述內部空腔從所述第一轉接板的下表面向所述第一轉接板內部延伸形成；或者所述內部空腔從所述第二轉接板的上表面向所述第二轉接板內部延伸形成。

4.如權利要求1所述的降低等效介電常數的轉接板結構，其特征在于，所述內部空腔由所述第一轉接板的下表面向所述第一轉接板內部延伸形成的第一空腔和由所述第二轉接板的上表面向所述第二轉接板內部延伸形成的第二空腔配合構成。

5.如權利要求1所述的降低等效介電常數的轉接板結構，其特征在于，內部空腔按陣列的方式設置在轉接板結構內，并且還包括設置在所述內部空腔內的低介電常數材料，所述低介電常數材料的介電常數低于所述第一轉接板、第二轉接板的介電常數。

6.如權利要求1所述的降低等效介電常數的轉接板結構，其特征在于，所述第一轉接板和或所述第二轉接板為硅基轉接板。