[實用新型]包絡檢測電路

有效

• 申請號: 201921955882.1
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN210693996U
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 趙偉兵;許登科;肖剛軍
• 申請（專利權）人: 珠海市一微半導體有限公司
• 主分類號: H04L25/02
• 分類號: H04L25/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種包絡檢測電路，其特征在于，包括：

比較模塊，所述比較模塊包括：用于輸入第一接收信號的第一信號輸入端，用于輸入第二接收信號的第二信號輸入端，用于輸出第一比較信號的第一信號輸出端，以及用于輸出第二比較信號的第二信號輸出端；

用于對所述第一比較信號和所述第二比較信號進行整形處理并輸出包絡檢測信號的整形模塊，所述整形模塊與所述比較模塊連接，所述整形模塊包括：與所述第一信號輸出端連接的第三信號輸入端，與所述第二信號輸出端連接的第四信號輸入端，以及用于輸出包絡檢測信號的第三信號輸出端。

2.根據權利要求1所述的包絡檢測電路，其特征在于：

所述比較模塊包括電流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻；

所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管的源極共同連接至電源端，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管的柵極共同連接至電流源的一端和第一PMOS管的漏極，所述電流源的另一端接地；

所述第六PMOS管、第十四PMOS管和第七PMOS管的源極共同連接至第二PMOS管的漏極，第六PMOS管和第十四PMOS管的柵極共同作為比較模塊的第一信號輸入端，第六PMOS管和第十四PMOS管的漏極共同通過第一電阻接地，第七PMOS管的柵極作為比較模塊的第二信號輸入端，第七PMOS管的漏極通過第二電阻接地；

所述第八PMOS管和第九PMOS管的源極共同連接至第三PMOS管的漏極，第八PMOS管的柵極通過第二電阻接地，第八PMOS管的漏極分別連接至第一NMOS管的漏極以及第一NMOS管和第二NMOS管的柵極，第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地，第九PMOS管的柵極通過第一電阻接地，第九PMOS管的漏極與第二NMOS管的漏極連接并共同作為比較模塊的第一信號輸出端；

所述第十PMOS管、第十五PMOS管和第十一PMOS管的源極共同連接至第四PMOS管的漏極，第十PMOS管和第十五PMOS管的柵極共同作為比較模塊的第二信號輸入端，第十PMOS管和第十五PMOS管的漏極共同通過第三電阻接地，第十一PMOS管的柵極作為比較模塊的第一信號輸入端，第十一PMOS管的漏極通過第四電阻接地；

所述第十二PMOS管和第十三PMOS管的源極共同連接至第五PMOS管的漏極，第十二PMOS管的柵極通過第四電阻接地，第十二PMOS管的漏極分別連接至第三NMOS管的漏極以及第三NMOS管和第四NMOS管的柵極，第三NMOS管和第四NMOS管的源極接地，第十三PMOS管的柵極通過第三電阻接地，第十三PMOS管的漏極與第四NMOS管的漏極連接并共同作為比較模塊的第二信號輸出端。

3.根據權利要求2所述的包絡檢測電路，其特征在于：

所述第六PMOS管、第七PMOS管、第十PMOS管和第十一PMOS管的尺寸相同；

所述第八PMOS管、第九PMOS管、第十二PMOS管和第十三PMOS管的尺寸相同；

所述第二PMOS管和第四PMOS管的尺寸相同，第三PMOS管和第五PMOS管的尺寸相同；

所述第十四PMOS管和第十五PMOS管的尺寸相同，且所述第十四PMOS管或第十五PMOS管的溝道長度與第六PMOS管的溝道長度相同；

所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的尺寸相同；

所述第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻的阻值相同；

所述尺寸相同是指各晶體管的溝道的寬度相同，以及各晶體管的溝道的長度相同。

4.根據權利要求3所述的包絡檢測電路，其特征在于：

所述比較模塊的翻轉閾值隨預設尺寸比值的變化而變化，所述預設尺寸比值是第十四PMOS管的溝道寬度與第六PMOS管的溝道寬度的比值，或者是第十五PMOS管的溝道寬度與第十PMOS管的溝道寬度的比值。