[實用新型]一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器有效
| 申請號： | 201921949069.3 | 申請日： | 2019-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN211123332U | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發明（設計）人： | 胡丹;張進峰;劉丹 | 申請（專利權）人： | 安陽師范學院 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 455000 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 石墨 寬帶 可調 赫茲 吸波器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：以金屬作為反射基底，結構向上依次為絕緣介質層、石墨烯層，所述的石墨烯層由周期性單層石墨烯方形片結構組成。
2.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的絕緣介質層為SiO2或其它在太赫茲波段損耗角正切小于0.1的介質材料。
3.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的絕緣介質層的厚度t為16～25微米。
4.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的石墨烯方形片的寬度w為20～30微米。
5.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的石墨烯方形片結構單元的晶格周期p為30～45微米。
6.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的石墨烯為單層原子排列結構。
7.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的反射基底由高電導率的金屬材料制成，反射基底的厚度為0.1～500微米。
8.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的寬帶可調太赫茲吸波器，其特征在于：所述的反射基底為金、銅、銀或鋁。
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