[實用新型]一種浮地型磁控憶阻模擬器

有效

• 申請號: 201921934468.2
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN211506501U
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 錢輝;袁永志;任康成;方文慶
• 申請（專利權）人: 常州星宇車燈股份有限公司
• 主分類號: G06F30/36
• 分類號: G06F30/36;G06F30/3308;H03K19/00
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 顧翰林

本實用新型涉及憶阻模擬器應用領域，特別涉及一種浮地型磁控憶阻模擬器，包括電阻R2、電阻R3、電阻R4、電流傳輸器AD844AN1、電容C1、電流傳輸器AD844AN2、電流傳輸器AD844AN3、乘法運算放大器AD633和運算放大器TL084，輸入端與運算放大器TL084的正極相連，所述運算放大器TL084的負極通過電阻R2分別與乘法運算放大器AD633的W端和電流傳輸器AD844AN3的正極相連，所述運算放大器TL084的Z極通過電阻R4與電流傳輸器AD844AN1的負極連接，所述電阻R3的一端與運算放大器TL084的負極連接，另一端與運算放大器TL084的Z端連接。

技術領域

本實用新型涉及憶阻模擬器應用領域，特別涉及一種浮地型磁控憶阻模擬器。

背景技術

1971年，蔡少棠教授根據電路變量組合完備性的原理，預測了直接關聯電荷和磁通兩個變量的電路元件—“憶阻器”的存在性，并在1976年建立了憶阻器件與系統理論。2008年5月，惠普實驗室的Strukov等在《自然》上首次報道了憶阻器的物理實現，從而迅速激發了憶阻器及其應用電路的研究熱潮。但是因為憶阻采用的納米技術，在具體實現和制作上存在著巨大的困難，目前還未作為一個實際的元件走向市場。因此設計一種憶阻等效電路并用其替代實際憶阻器進行實驗和應用研究具有重要意義。

早期出現了多種采用已有的模擬分立元器件實現憶阻的等效電路，如基于HPTiO2憶阻、二次和三次非線性磁控憶阻等數學模型的等效實現電路，以及利用模數混合電路和超大規模數字電路實現的電路。上述等效電路都是以輸出端“接地”方式工作的，不能任意接入電路，在應用時會受到一定的限制。

實用新型內容

本實用新型的目的在于為了克服上述現有技術存在的缺陷而提供一種浮地型磁控憶阻模擬器，可基于通用電路元器件使用運放和乘法器以及電阻、電容實現，采用電流傳輸器作為電流鏡是實現浮地憶阻仿真器的可靠設計。

為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案為：一種浮地型磁控憶阻模擬器，包括電阻R2、電阻R3、電阻R4、電流傳輸器AD844AN1、電容C1、電流傳輸器AD844AN2、電流傳輸器AD844AN3、乘法運算放大器AD633和運算放大器TL084，輸入端與運算放大器TL084的正極相連，所述運算放大器TL084的負極通過電阻R2分別與乘法運算放大器AD633的W端和電流傳輸器AD844AN3的正極相連，所述運算放大器TL084的Z極通過電阻R4與電流傳輸器AD844AN1的負極連接，所述電阻R3的一端與運算放大器TL084的負極連接，另一端與運算放大器TL084的Z端連接，所述電流傳輸器AD844AN1的正極也與輸入端連接，所述電流傳輸器AD844AN1的Z端通過電容C1接地，所述電流傳輸器AD844AN1的W端與乘法運算放大器AD633的X1端連接，所述乘法運算放大器AD633的X2和Y2端均接地，所述乘法運算放大器AD633的Y1端與輸入端相連，所述電流傳輸器AD844AN3的負端與輸出端相連，所述電流傳輸器AD844AN3的Z端與電流傳輸器AD844AN2的Z端相連，所述電流傳輸器AD844AN2的正極接地，所述電流傳輸器AD844AN2的負極與輸入端相連。

作為優選，還包括電阻R1，所述電阻R1串接在輸入端和電流傳輸器AD844AN2的負極之間。

本實用新型所達到的有益效果：本實用新型的浮地型磁控憶阻模擬器主要采用三個AD844實現電流傳輸，AD633實現乘法運算功能，TL084運放與電阻R2、R3實現減法運算，利用電流反饋型運算放大器AD844，搭建一種新型的浮地型憶阻模擬器的電路設計。

附圖說明

圖1是本實用新型的浮地型磁控憶阻模擬器的結構示意圖；

圖2是正弦電壓激勵下憶阻模擬器伏安特性曲線。

具體實施方式