[實用新型]一種基于肖特基結構的屏蔽柵型功率器件有效
| 申請號： | 201921934314.3 | 申請日： | 2019-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN210607270U | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 丁磊;侯宏偉;顧挺 | 申請（專利權）人： | 張家港凱思半導體有限公司;江蘇協昌電子科技股份有限公司;張家港凱誠軟件科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江蘇省蘇州市張*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 肖特基 結構 屏蔽 功率 器件 | ||
1.一種基于肖特基結構的屏蔽柵型功率器件，其特征在于，包括N－基片(1)，定義N－基片(1)的上表面為第一表面(2)，第一表面(2)上開有若干個垂直方向上的溝槽(3)，溝槽(3)外圍的第一表面下方形成N+注入層(10)；
溝槽(3)內填有絕緣介質層(4)，且絕緣介質層(4)內開有第一空腔(5)和第二空腔(6)，所述第一空腔(5)位于溝槽(3)內中央，兩個第二空腔(6)分別位于第一空腔(5)的左右兩側并通過絕緣介質層(4)相隔離，第一空腔(5)、第二空腔(6)內均填滿導電多晶硅(7)；
溝槽(3)及其外圍的第一表面上方覆蓋有絕緣介質層(4)，絕緣介質層(4)上覆蓋有金屬層(8)，金屬層(8)向下延伸至引線孔(9)內，所述引線孔(9)貫穿絕緣介質層(4)、溝槽(3)外圍的N+注入層(10)直至N－基片(1)的上部；
引線孔(9)與N+注入層(10)之間形成扇狀的P+注入層(11)，且P+注入層(11)與引線孔(9)、N+注入層(10)均相接觸；引線孔(9)、P+注入層(11)和N+注入層(10)三者的下方形成扇狀的P－注入層(12)，且P－注入層(12)與引線孔(9)的部分底部、P+注入層(11)、N+注入層(10)、溝槽(3)均相接觸。
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