[實用新型]一種發光二極管

有效

• 申請號: 201921896164.1
• 申請日: 2019-11-06
• 公開（公告）號: CN210607306U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 韓權威;戴志祥;李燁;沈媛媛;晉沙沙;陳亭玉;隗彪;孫旭;張家豪
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型屬于半導體領域，尤其涉及一種發光二極管，至少包括襯底，以及依次層疊于所述襯底之上的第一導電型半導體層、發光層、第二導電型半導體層和透明導電層；第一電極，與第一導電型半導體層電性連接；第二電極，位于透明導電層表面，通過透明導電層與第二導電型半導體層電性連接；其特征在于：所述第二導電型半導體層表面具有高電流密度區和低電流密度區，由低電流密度區向高電流密度區，透明導電層的覆蓋面積逐漸增大。本實用新型減小第二導電型半導體層表面低電流密度區的透明導電層的覆蓋面積，從而促使電流集中，以提高電流密度區的電流密度，從而提高發光二極管的亮度。

技術領域

本實用新型屬于半導體領域，尤其涉及一種發光二極管。

背景技術

如圖1所示，現有技術中的發光二極管包括襯底，依次層疊于襯底上的N型層、發光層、P型層23、透明導電層30、P電極42’和N電極41’，P電極42’包括焊盤部421‘和延伸部422’。

ITO作為透明導電層，在目前GaN基LED中起著擴展電流的重要作用?，F有ITO的制作方法，是在留出安全的邊緣余量之后，其余區域全部覆蓋，以盡可能增大發光區面積。但實際生產過程中發現，整個ITO覆蓋的發光區，不同位置的發光強度具有差異。即距離電極或延伸部越近，發光強度越高，距離電極或延伸部越遠，發光強度越低。不同區域的發光強度差異，體現了相應區域的電流密度差異，即存在高電流密度區和低電流密度區。如進一步降低使用電流，勢必會導致發光強度低的區域發出的光難以被感受到，擴展到這些區域的電流則被浪費。

發明內容

因此，為解決以上問題，本實用新型提供了一種具有不完全覆蓋第二導電型半導體層的透明導電層的發光二極管，用于進一步提高發光二極管的亮度，具體技術方案如下：

一種發光二極管，至少包括襯底，以及依次層疊于所述襯底之上的第一導電型半導體層、發光層、第二導電型半導體層和透明導電層；第一電極，與第一導電型半導體層電性連接；第二電極，位于透明導電層表面，通過透明導電層與第二導電型半導體層電性連接；其特征在于：所述第二導電型半導體層表面具有高電流密度區和低電流密度區，由低電流密度區向高電流密度區，透明導電層的覆蓋面積逐漸增大。

優選的，所述第二導電型半導體層外周的表面無透明導電層覆蓋，且透明導電層的邊緣與第二導電型半導體層的邊緣的距離大于6μm。

優選的，所述第二電極包括用于打線的焊盤部和用于擴展電流的延伸部。

優選的，所述透明導電層的覆蓋面積由第二電極端沿著延伸部的方向至第一電極端先增大后減小，且在延伸部的末端增加至最大。

優選的，所述第二電極端的透明導電層的覆蓋面積小于或等于第一電極端的透明導電層的覆蓋面積。

優選的，所述第二電極端的透明導電層與第二導電型半導體層的邊緣的距離大于或等于第一電極端的透明導電層與第二導電型半導體層的邊緣的距離。

優選的，所述延伸部兩端的透明導電層的覆蓋面積大于中間部分透明導電層的覆蓋面積。

優選的，所述延伸部中間部分兩側的透明導電層表面具有復數孔洞。

優選的，所述復數個孔洞沿延伸部均勻或者不均勻排列。

優選的，所述孔洞的形狀為圓形或者橢圓形。

與現有技術相比，本實用新型提供的發光二極管，至少具有以下技術效果：

本實用新型通過減小第二導電型半導體層表面低電流密度區的透明導電層的覆蓋面積，從而促使電流集中，以提高電流密度區的電流密度，從而提高發光二極管的亮度。