[實用新型]一種氮化硼封裝的二維有機-無機異質結有效
| 申請號: | 201921891697.0 | 申請日: | 2019-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN210467888U | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 卞正;高麗;王欣然;疏靜 | 申請(專利權)人: | 南京理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/40 |
| 代理公司: | 南京泰普專利代理事務所(普通合伙) 32360 | 代理人: | 張磊 |
| 地址: | 210094 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化 封裝 二維 有機 無機 異質結 | ||
1.一種氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,包括:
襯底,其材質為硅片;
底部封裝層,其材質為二維氮化硼,設置在所述襯底上;
二維納米層,由至少兩層的二維有機材料和/或二維無機材料形成的層狀異質結結構,并設置在所述底部封裝層上;
頂部封裝層,其材質為二維氮化硼,設置在所述二維納米層的另一側。
2.根據權利要求1所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述二維氮化硼為層狀六方氮化硼。
3.根據權利要求1所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述底部封裝層和底部封裝層的厚度為40~50nm,二維納米層的厚度為4~10nm;其中二維有機材料和二維無機材料之間的厚度比為1:(1~2)。
4.根據權利要求1所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述二維有機材料為半導體苝四甲酸二酐、半導體苝二酰亞胺、半導體二辛基苯并噻吩并苯并噻吩、N,N'-二甲基雙羧酰亞胺中的一種有機半導體材料。
5.根據權利要求1所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述二維無機材料為第三主族、第四主族、第五主族中金屬元素的硫化物或硒化物組成的一種無機半導體材料。
6.根據權利要求4所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述二維無機材料為硫化鎘、硫化錫、硫化銀、硫化銻、硫化鉛、硫化鋅、硫化銦、硒化鎘、硒化錫、硒化銀、硒化銻、硒化鉛、硒化鋅、硒化銦中的一種無機半導體材料。
7.根據權利要求1所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述二維納米層與頂部封裝層、頂部封裝層之間通過液態的金屬膠相連接。
8.根據權利要求7所述的氮化硼封裝的二維有機-無機異質結,其特征在于,所述金屬膠為銦鎵合金。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





