[實用新型]磁控真空鍍膜機

有效

• 申請號: 201921885704.6
• 申請日: 2019-11-04
• 公開（公告）號: CN210886201U
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 吳炳照
• 申請（專利權）人: 無錫福照玻璃鏡業有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 無錫睿升知識產權代理事務所(普通合伙) 32376
• 代理人: 姬穎敏

本實用新型涉及真空鍍膜機技術領域，公開了磁控真空鍍膜機，包括鍍膜機座，鍍膜機座上側設有調節控制箱，鍍膜機座的上方縱向設有與調節控制箱連接無底的鍍膜機箱，鍍膜機箱內的上側設有與調節控制箱配合的磁控濺射裝置，鍍膜機箱下端的前后側均設有與其密閉配合的鍍膜機蓋，且鍍膜機蓋內側設有真空吸盤，鍍膜機座上設有將鍍膜機箱內腔抽真空的真空發生裝置，鍍膜機箱內橫向設有圓環形鍍膜隔板，圓環形鍍膜隔板的內側鉸接有與其密閉配合可縱向翻轉的鍍膜翻板，圓環形鍍膜隔板上設有帶動鍍膜隔板翻轉的動力裝置。本實用新型解決了現有磁控真空鍍膜機在進行基片鍍膜時，基片表面薄膜厚度不均勻的問題。

技術領域

本實用新型涉及真空鍍膜機技術領域，特別涉及磁控真空鍍膜機。

背景技術

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。

真空鍍膜是目前較為前沿的鍍膜技術，而真空鍍膜中的磁控濺射鍍膜法采用通過通電陽極放出電子，并使電子在電場的加速作用下與真空腔內的氣體分子碰撞，從而使氣體分子電離，而電離的氣體分子又在電場的作用下轟擊陰極上的金屬粒子，使金屬粒子電離濺射，并使得電離出來的金屬離子沉積于待鍍工件表面形成薄膜，其中為了使電子能夠更加高效的與氣體分子進行碰撞，從而提高氣體分子電離率，采用在陰極內部裝入磁鐵形成磁控陰極，因此電子在電場及磁場的共同作用下，將會在真空腔內形成螺旋式軌跡來增加電子與氣體分子的碰撞概率。

目前所使用的磁控真空鍍膜機在進行基片鍍膜時，靶材被轟擊產生的原子團和離子，原子團和離子逐漸沉積在基片表面形成薄膜，在原子團和離子沉積過程中，原子團和離子分布在鍍膜機內的密度分布不均，造成基片上形成薄膜時，薄膜厚度不均勻的問題。

綜上所述，我們急需設計磁控真空鍍膜機解決以上問題。

實用新型內容

基于以上問題，本實用新型提供了磁控真空鍍膜機，解決了現有磁控真空鍍膜機在進行基片鍍膜時，基片表面薄膜厚度不均勻的問題。

為解決以上技術問題，本實用新型采用的技術方案如下：

磁控真空鍍膜機，包括鍍膜機座，鍍膜機座上側設有調節控制箱，鍍膜機座的上方縱向設有與調節控制箱連接無底的鍍膜機箱，鍍膜機箱內的上側設有與調節控制箱配合的磁控濺射裝置，鍍膜機箱下端的前后側均設有與其密閉配合的鍍膜機蓋，且鍍膜機蓋內側設有真空吸盤，鍍膜機座上設有將鍍膜機箱內腔抽真空的真空發生裝置，鍍膜機箱內橫向設有圓環形鍍膜隔板，圓環形鍍膜隔板的內側鉸接有與其密閉配合可縱向翻轉的鍍膜翻板，圓環形鍍膜隔板上設有帶動鍍膜隔板翻轉的動力裝置。

本實用新型的原理及效果：在兩鍍膜機蓋內側的真空吸盤上安裝基片，在磁控濺射裝置上安裝靶材，使其中一個鍍膜翻板與鍍膜機箱密閉對接，通過真空發生裝置將鍍膜機箱內抽真空，通過調節控制箱使磁控濺射裝置工作，靶材產生的原子團和離子濺射后沉淀在鍍膜翻板和圓環形鍍膜隔板的上表面，啟動動力裝置，動力裝置帶動鍍膜翻板翻轉，使圓環形鍍膜隔板內側形成通口裝，原子團和離子沉降覆蓋在基片上，達到基片鍍膜的目的，可通過在兩鍍膜機蓋內側的真空吸盤上放置基片，兩鍍膜機蓋交替與鍍膜機箱對接，減少了單個鍍膜機蓋安裝基片時，浪費時間，減少基片鍍膜效率的問題，通過鍍膜隔板個鍍膜翻板的設計，首先使原子團和離子初步沉降后，再定向輸送到基片表面，通過原子團和離子初步沉降，具有平衡原子團和離子濃度的問題，解決原子團和離子分布在鍍膜機內的密度分布不均，造成基片上形成薄膜時，薄膜厚度不均勻的問題。

作為一種優選的方式，鍍膜機座內設有儲物箱，鍍膜機座底側設有正四輪行走機構，正四輪行走行走機構由四個萬向輪組成。

作為一種優選的方式，鍍膜機箱下端的前后側相對設有鉸接座，鉸接座上鉸接有鉸接桿，鉸接桿上連接有鍍膜機蓋，鉸接桿跟向貫穿鉸接座，且鉸接桿與鉸接座通過螺紋方式連接。