[實用新型]基于表面等離激元的光控晶閘管及電子設備有效
| 申請號： | 201921882237.1 | 申請日： | 2019-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN212136456U | 公開（公告）日： | 2020-12-11 |
| 發明（設計）人： | 方慧風;和巍巍;汪之涵;張振中;孫軍 | 申請（專利權）人： | 深圳基本半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0232 | 分類號： | H01L31/0232;H01L31/111;H01L31/18;G02B5/00 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 黃議本 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 表面 離激元 光控 晶閘管 電子設備 | ||
1.一種基于表面等離激元的光控晶閘管，其特征在于：包括光控端；所述光控端設有第一結構；所述第一結構用于使入射光與表面等離激元形成共振耦合作用；所述第一結構為能通過衍射對入射光進行波矢補償的結構；所述第一結構為帶有孔洞的結構。
2.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述第一結構位于所述光控端的PN結低摻雜側；或者所述第一結構從所述光控端的PN結低摻雜側跨結到高摻雜側。
3.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述第一結構位于所述光控端的具有傾斜角度的結構上；所述具有傾斜角度的結構的具體形式包括斜面、曲面和溝槽。
4.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述第一結構位于所述光控晶閘管的陽極基區和/或陰極基區上。
5.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述第一結構為金屬結構；所述金屬結構為納米金屬結構。
6.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述第一結構為金屬光柵；所述金屬光柵為納米金屬光柵。
7.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述第一結構為周期性或陣列性結構；所述周期性或陣列性結構為納米金屬結構。
8.根據權利要求7所述光控晶閘管，其特征在于：所述周期性或陣列性結構的具體形式包括帶孔洞陣列的金屬薄膜結構、金屬顆粒陣列結構、金屬納米線陣列結構和金屬納米棒陣列結構。
9.根據權利要求1所述光控晶閘管，其特征在于：所述光控晶閘管的形式包括SiC基光控晶閘管和Si基光控晶閘管；所述光控晶閘管的具體形式包括NPNP結構光控晶閘管和PNPN結構光控晶閘管。
10.一種電子設備，其特征在于：包括根據權利要求1至9任一項所述光控晶閘管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
