[實(shí)用新型]像素單元、圖像傳感器及電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921867779.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210956675U | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張盛鑫;徐辰;邵澤旭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 思特威(上海)電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
| 地址: | 200120 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 單元 圖像傳感器 電子設(shè)備 | ||
1.一種像素單元,其特征在于,包括:
光電二極管及連接到所述光電二極管的傳輸晶體管,所述傳輸晶體管以一角度傾斜設(shè)置于所述光電二極管的角部;
浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn),所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)靠近所述傳輸晶體管設(shè)置并連接至所述傳輸晶體管;
復(fù)位晶體管和轉(zhuǎn)換增益控制晶體管,所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管連接在所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)和所述復(fù)位晶體管之間;
增益控制電容,所述增益控制電容的第一極包括連接部和拓展部,所述連接部為所述復(fù)位晶體管與所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管兩者的連接點(diǎn),所述拓展部由所述連接點(diǎn)凸伸至按列方向相鄰的兩個(gè)光電二極管之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述光電二極管在位于所述連接部的右上方、右下方及左上方處設(shè)有缺口,以使得所述增益控制電容的連接部形成為多邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述連接部向上方凸伸以連接至所述復(fù)位晶體管,所述連接部向右方凸伸以連接至所述增益控制電容的拓展部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管的柵極呈不規(guī)則形狀布置,其源極與浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)連接,其漏極與所述增益控制電容和所述復(fù)位晶體管連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)沿第一傾斜方向傾斜設(shè)置在所述光電二極管和所述第一極之間,所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管沿第二傾斜方向傾斜設(shè)置在所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)和所述第一極之間,所述第一傾斜方向和所述第二傾斜方向交叉。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述第一極沿行方向的長(zhǎng)度大于所述像素單元沿行方向的長(zhǎng)度的50%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述拓展部沿所述列方向的寬度大于按所述列方向相鄰的兩個(gè)光電二極管之間間距的40%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述拓展部與位于其列方向上兩側(cè)的光電二極管之間均設(shè)置隔離結(jié)構(gòu),所述隔離結(jié)構(gòu)采用離子注入方式隔離或STI隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述復(fù)位晶體管位于上一行像素單元中按行方向相鄰的兩個(gè)光電二極管之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述像素單元應(yīng)用于圖像傳感器中,所述圖像傳感器包括源極跟隨晶體管和行選擇晶體管;所述源極跟隨晶體管連接在所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)和所述行選擇晶體管之間,所述源極跟隨晶體管和所述行選擇晶體管位于本行像素單元中按行方向相鄰的兩個(gè)光電二極管之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素單元,其特征在于,所述復(fù)位晶體管、所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管、所述源極跟隨晶體管和所述行選擇晶體管依序設(shè)置在左右相鄰的兩列光電二極管之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素單元,其特征在于,所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管以一角度傾斜設(shè)置,所述復(fù)位晶體管、所述源極跟隨晶體管和所述行選擇晶體管同一方向布局。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,自所述連接部的最左端至與其相連的拓展部的最右端的距離為所述第一極的長(zhǎng)度,所述第一極的長(zhǎng)度為3~3.65μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述拓展部沿列方向的寬度為0.4~0.5μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述拓展部與位于其列方向上兩側(cè)的光電二極管分別相距0.1~0.25μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





