[實用新型]一種基于核殼結構GaN-MoO3

有效

• 申請號: 201921860307.3
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN211295123U
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 李國強;鄭昱林;王文樑;唐鑫;陳勝;楊昱輝
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍;馮振寧

1.一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，包括襯底（1）、生長在襯底（1）上的GaN納米柱陣列（2）、包覆在GaN納米柱陣列（2）上的MoO₃納米晶（3）、包覆在MoO₃納米晶（3）上的第一金屬電極（4）、設在GaN納米柱陣列底端未覆蓋MoO₃納米晶處的第二金屬電極（5）。

2.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述襯底的厚度為400~450 μm。

3.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述襯底選自Si、藍寶石、La_0.3Sr_1.7AlTaO₆或ScAlMgO₄。

4.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述GaN納米柱陣列中的GaN納米柱的長度為400~500 nm，直徑為60~80 nm。

5.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述GaN納米柱陣列中的GaN納米柱與襯底之間的GaN合并膜的厚度為5~10 nm。

6.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述GaN納米柱陣列中GaN納米柱的密度為4.0×10⁹ ~ 8.0×10⁹ /cm²。

7.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述MoO₃納米晶是包覆在GaN納米柱陣列上，形成GaN-MoO₃核殼結構；所述MoO₃納米晶的厚度為10-60 nm。

8.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極均為從下往上依次層疊的Ni金屬層和Au金屬層；所述Ni金屬層和Au金屬層的厚度分別為40~50 nm和80~100 nm。

9.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極的長度均為300~330 μm，寬度均為50~75 μm。

10.根據權利要求1所述的一種基于核殼結構GaN-MoO₃納米柱的自供電紫外探測器，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極的間距為250~300 μm。