[實用新型]分層式AMOLED像素補償電路

有效

• 申請號: 201921855358.7
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN210805181U
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 羅敬凱;盧昭陽;賈浩
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225;G09G3/3233;H01L27/32
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;郭鵬飛

1.一種分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，包括基板上設置的下層薄膜晶體管區、上層薄膜晶體管區、所述上層薄膜晶體管區與下層薄膜晶體管區之間還設置有絕緣層，上層薄膜晶體管區的電極與下層薄膜晶體管區的電極通過穿過絕緣層的連接線連接，上層薄膜晶體管區還圖案化有機發光二極管，上層薄膜晶體管區域的薄膜晶體管與下層薄膜晶體管區的薄膜晶體管連接成有機發光二極管的補償電路。

2.根據權利要求1所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述下層薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管，下層薄膜晶體管區包括多晶硅有源層，多晶硅有源層與金屬電極連接，所述多晶硅有源層上包覆有阻隔層，所述阻隔層上設置有第一柵極層，所述多晶硅有源層、金屬電極及第一柵極層被圖案化為若干多晶硅薄膜晶體管，

所述上層薄膜晶體管區包括氧化物有源層，上層薄膜晶體管區圖案化有氧化物薄膜晶體管及AMOLED像素；

還包括連接線，所述多晶硅薄膜晶體管通過連接線與氧化物薄膜晶體管連接成像素補償電路。

3.根據權利要求2所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述阻隔層及第一柵極層上還包覆有介質層，介質層設置在絕緣層下方。

4.根據權利要求3所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述介質層為氫化非晶氮化硅。

5.根據權利要求2所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述阻隔層為氧化硅或氧化鋁薄膜。

6.根據權利要求1所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述絕緣層上還設置有平坦層，所述平坦層為有機絕緣材料薄膜。

7.根據權利要求1所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅薄膜。

8.根據權利要求1所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述下層薄膜晶體管區包括薄膜晶體管T2、T6、T3，電容C1、C2；上層薄膜晶體管區包括T1、T4、T5；所述T1的漏極與T4的源極連接，所述T4的柵極與T2的漏極和T6的漏極連接，T4的柵極還通過C1與T3的源極連接，漏極與有機發光二極管的正極連接；T3的漏極與有機發光二極管的負極連接，T3的源極還通過C2與T4的漏極和T5的漏極連接。

9.根據權利要求1所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，

所述下層薄膜晶體管區包括薄膜晶體管T1、T3、T5、T6及電容C，所述上層薄膜晶體管區包括薄膜晶體管T2、T4、T7、T8、T9、有機發光二極管，所述T1的源極與T3的源極連接，T1的漏極與T5的柵極和T6的柵極連接，所述T3的漏極與T5的源極連接，T5的漏極與T6的源極連接，所述T1的源極還與T2的柵極和T4的漏極連接，所述T4的源極與T2的源極、T7的漏極連接，所述T2的漏極通過電容C與T5的源極連接，所述T2的漏極還與T8的漏極和T9的源極連接，T9的漏極還與有機發光二極管的正極連接。

10.根據權利要求1所述的分層式AMOLED像素補償電路，其特征在于，所述基板為玻璃基板。