[實(shí)用新型]涌入電流控制電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921849048.4 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210405496U | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | B·克雷默斯 | 申請(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H04N5/335 | 分類號(hào): | H04N5/335;H04N5/378;H04N5/341 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 張錚錚;馬芬 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 涌入 電流 控制電路 | ||
1.一種涌入電流控制電路,其特征在于,包括:
輸出部,在所述輸出部上提供偏置電流;
電容器;
電流源,所述電流源被配置為對(duì)所述電容器充電;
源極跟隨器晶體管,所述源極跟隨器晶體管具有連接到所述電容器的柵極端子,其中所述輸出部處的所述偏置電流與流過所述源極跟隨器晶體管的電流的量成比例;和
電流減法晶體管,所述電流減法晶體管連接到所述電容器,其中流過所述源極跟隨器晶體管的電流的量經(jīng)由負(fù)反饋路徑鏡像回到所述電流減法晶體管,使得所述電流源對(duì)所述電容器充電的速度隨著所述偏置電流的增大而減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涌入電流控制電路,其中,所述電容器和所述電流減法晶體管并聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涌入電流控制電路,其中,還包括:
電流吸收器,所述電流吸收器被配置為使所述電容器放電,其中所述電流源和所述電流吸收器中的至多一者在任何時(shí)間點(diǎn)主動(dòng)連接到所述電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的涌入電流控制電路,其中,還包括:
第一開關(guān),所述第一開關(guān)與所述電流源串聯(lián)連接;和
第二開關(guān),所述第二開關(guān)與所述電流吸收器串聯(lián)連接,其中所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)由斷電信號(hào)控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涌入電流控制電路,其中,所述偏置電流以非線性模擬方式斜線升高。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涌入電流控制電路,還包括:
電阻器,所述電阻器與所述源極跟隨器晶體管串聯(lián)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的涌入電流控制電路,其中,還包括:
第一上拉晶體管,所述第一上拉晶體管與所述源極跟隨器晶體管串聯(lián)連接,其中所述第一上拉晶體管為二極管連接的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的涌入電流控制電路,其中,還包括:
第二上拉晶體管,所述第二上拉晶體管鏡像所述第一上拉晶體管的所述電流;和
下拉晶體管,所述下拉晶體管與所述第二上拉晶體管串聯(lián)連接,其中所述下拉晶體管為二極管連接的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涌入電流控制電路,其中,所述下拉晶體管和所述電流減法晶體管具有彼此短路的柵極端子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的涌入電流控制電路,其中,還包括:
第三上拉晶體管,所述第三上拉晶體管鏡像所述第一上拉晶體管的所述電流,其中所述偏置電流流過所述第三上拉晶體管。
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