[實(shí)用新型]氣相沉積爐及氣相沉積系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921828411.4 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN211142169U | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉鑫培;朱小剛;劉慧敏 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州創(chuàng)瑞機(jī)電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/513 | 分類號: | C23C16/513;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司: | 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 陸明耀;顧祥安 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型揭示了氣相沉積爐及氣相沉積系統(tǒng),其中氣相沉積爐,包括罩體及蓋板,它們均連接一軸,罩體的側(cè)壁上設(shè)置有第一氣道、第二氣道及第一電極及第二電極,第一電極電連接架設(shè)于罩體內(nèi)的導(dǎo)電工件放置架,第二電極電連接位于罩體內(nèi)且與導(dǎo)電工件放置架位置對應(yīng)的導(dǎo)電板;蓋板連接驅(qū)動其繞軸轉(zhuǎn)動且在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu),第一狀態(tài)下,蓋板密封所述罩體的開口并與罩體形成一密封腔,第二狀態(tài)下,蓋板使罩體的開口保持敞開狀態(tài)。本方案通過罩體與蓋板形成腔體,且蓋體可相對罩體翻轉(zhuǎn),極大的方便進(jìn)行上下料作業(yè),不需要采用微波發(fā)生器作為能量來源,有利于降低成本,蓋板可以自動打開和關(guān)閉,效率高,易于操作。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,尤其是氣相沉積爐及氣相沉積系統(tǒng)。
背景技術(shù)
等離子體化學(xué)氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應(yīng)氣體,利用等離子體放電,使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。
等離子氣相沉積爐是實(shí)現(xiàn)等離子氣相沉積的專用設(shè)備,市場上存在這各種各樣的氣相沉積設(shè)備,如申請?zhí)枮?01810027210 .8所揭示的等離子體氣相沉積裝置,其具有反應(yīng)腔和隔離腔20,并通過微波源反應(yīng)器30來為反應(yīng)器內(nèi)產(chǎn)生等離子提供能量來源。
這種結(jié)構(gòu)的問題在于:
1、由于腔體具有雙層結(jié)構(gòu),導(dǎo)致需要多個(gè)密封門的結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)復(fù)雜,并且很難通過自動化設(shè)備實(shí)現(xiàn)門的自動開關(guān),在進(jìn)行待沉積工件上料機(jī)完成沉積工件下料時(shí),操作較為繁瑣。
2、采用微波源反應(yīng)器的成本較高,不利于降低設(shè)備成本。
3、上述結(jié)構(gòu)中,樣品臺上通常只能放置一個(gè)或少量的工件,這就造成無法批量進(jìn)行沉積,并且,在沉積時(shí),樣品臺與工件的接觸面積較大,對于需要全表面沉積的工件,往往很難一次沉積得到產(chǎn)品,而分次沉積又不利于提高效率及保證膜層沉積品質(zhì)。
4、整體結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不利于推廣應(yīng)用。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,提供一種氣相沉積爐及氣相沉積系統(tǒng)。
本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
氣相沉積爐,包括罩體及蓋板,它們均連接一軸,
所述罩體的側(cè)壁上設(shè)置有第一氣道、第二氣道及用于連接電源的第一電極及第二電極,所述第一電極電連接架設(shè)于所述罩體內(nèi)的導(dǎo)電工件放置架,所述第二電極電連接位于所述罩體內(nèi)且與所述導(dǎo)電工件放置架位置對應(yīng)的導(dǎo)電板;
所述蓋板連接驅(qū)動其繞所述軸轉(zhuǎn)動且在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的翻轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu),第一狀態(tài)下,所述蓋板密封所述罩體的開口并與罩體形成一密封腔,第二狀態(tài)下,所述蓋板使所述罩體的開口保持敞開狀態(tài)。
優(yōu)選的,所述的氣相沉積爐中,所述罩體開口端的端面處卡設(shè)有密封圈。
優(yōu)選的,所述的氣相沉積爐中,所述第一氣道和第二氣道設(shè)置于罩體相對的兩個(gè)側(cè)板上,所述第一氣道和第二氣道均包括從側(cè)板的外表面向內(nèi)延伸且長度小于側(cè)板厚度的氣孔,所述氣孔的內(nèi)端與側(cè)板內(nèi)壁處形成的腰形槽連通,所述腰形槽的槽口處封蓋有與氣孔的內(nèi)端保持間隙的勻氣板,所述勻氣板上形成有一組小氣孔。
優(yōu)選的,所述的氣相沉積爐中,所述第一電極及第二電極包裹于密封設(shè)置在底板上的絕緣套及與所述絕緣套連接的絕緣蓋帽內(nèi),所述絕緣蓋帽位于罩體外且其上形成有從其外壁延伸到第一電極及第二電極處的走線通道。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





