[實用新型]一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921823837.0 | 申請日： | 2019-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN210073863U | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李邁克 | 申請（專利權(quán)）人： | 中證博芯(重慶)半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50213 重慶中之信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 霍維英 |
| 地址： | 401520 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻擋層 帽層 本實用新型 柵極氧化層 緩沖結(jié)構(gòu) 過渡層 多層 漏極 源極 溝道載流子 靈活調(diào)整 驅(qū)動電流 異質(zhì)金屬 柵極結(jié)構(gòu) 閾值電壓 遷移率 增強(qiáng)型 襯底 溝道 異質(zhì) 穿過 惡化 | ||
1.一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，包括：
位于Al2O3襯底之上的AlN過渡層；
位于所述AlN過渡層之上的多層緩沖結(jié)構(gòu)，所述多層緩沖結(jié)構(gòu)的最上層為第一GaN層；
位于所述第一GaN層之上的AlGaN阻擋層，所述AlGaN阻擋層的厚度為5nm～10nm；
位于所述AlGaN阻擋層之上的GaN帽層；
位于所述第一GaN層之上且向上穿過所述AlGaN阻擋層以及GaN帽層的源極和漏極；
位于所述GaN帽層、源極和漏極之上的柵極氧化層；
位于所述柵極氧化層之上的異質(zhì)柵極結(jié)構(gòu)，所述異質(zhì)柵極結(jié)構(gòu)包括相互接觸并列設(shè)置的兩種功函數(shù)不同的金屬柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，所述多層緩沖結(jié)構(gòu)，包括：
位于所述AlN過渡層之上的GaN緩沖層；
位于所述GaN緩沖層之上的低溫GaN緩沖層；
位于所述低溫GaN緩沖層之上的所述第一GaN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于：
所述源極和漏極頂端高于所述GaN帽層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
