[實用新型]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921821206.5 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN210349837U | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王琦 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201506 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本實用新型公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,包括:襯底和驅(qū)動電路層;驅(qū)動電路層包括多個像素電路;一行像素電路具有一條柵極金屬線;柵極金屬線包括第一柵極金屬線和多個第二柵極金屬線,第二柵極金屬線包括第一分部和第二分部,第一分部的延伸方向與第一柵極金屬線的延伸方向平行,第二分部連接第一分部與第一柵極金屬線;一行像素電路包括第一像素電路;第一像素電路包括第一雙柵薄膜晶體管;第一雙柵薄膜晶體管包括第一有源層和一個第二柵極金屬線,在垂直于襯底的方向上,第一有源層同時與第二柵極金屬線的第一分部與第一柵極金屬線交疊以構(gòu)成第一雙柵薄膜晶體管的雙柵極。本實施例提供的陣列基板可以提高顯示分辨率。
技術領域
本實用新型實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active Matric Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)顯示因具有快響應、高亮度、高對比度、低功耗以及易實現(xiàn)柔性透明等優(yōu)點,被認為是下一代主流的顯示技術。
目前,用于驅(qū)動AMOLED的薄膜晶體管主要有非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管三種。然而,這三種薄膜晶體管都存在較大的漏電流、閾值電壓不均勻等缺陷,使得它們在驅(qū)動發(fā)光結(jié)構(gòu)時,不能提供穩(wěn)定、均勻的電流,進而影響AMOLED顯示的質(zhì)量。近幾年隨著對雙柵結(jié)構(gòu)薄膜晶體管研究的進展,基于雙柵薄膜晶體管的像素電路被提出,這些像素電路能夠?qū)崿F(xiàn)降低漏電流、閾值電壓補償?shù)裙δ堋H欢p柵薄膜晶體管的像素電路會導致像素密度被大大降低,進而不利于獲得高分辨率的顯示效果。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,降低漏電流的同時可以提高顯示裝置的分辨率。
第一方面,本實用新型實施例提供了一種陣列基板,該陣列基板包括:襯底以及形成在所述襯底上的驅(qū)動電路層;
所述驅(qū)動電路層包括呈陣列排布的多個像素電路;一行所述像素電路具有一條柵極金屬線;
所述柵極金屬線包括第一柵極金屬線和多個第二柵極金屬線,所述第二柵極金屬線包括第一分部和第二分部,所述第一分部的延伸方向與所述第一柵極金屬線的延伸方向相同,所述第二分部連接所述第一分部與所述第一柵極金屬線;
一行所述像素電路包括第一像素電路;所述第一像素電路包括第一雙柵薄膜晶體管;
所述第一雙柵薄膜晶體管包括第一有源層和一個所述第二柵極金屬線,在垂直于所述襯底的方向上,所述第一有源層同時與所述第二柵極金屬線的第一分部與所述第一柵極金屬線交疊以構(gòu)成所述第一雙柵薄膜晶體管的雙柵極。
進一步地,一行所述像素電路還包括第二像素電路;所述第一像素電路和所述第二像素電路間隔設置;
第二像素電路包括與所述第一雙柵薄膜晶體管相鄰的第二雙柵薄膜晶體管;
所述第二雙柵薄膜晶體管包括第二有源層和一個所述第二柵極金屬線,在垂直于所述襯底的方向上,所述第二有源層同時與所述第二柵極金屬線的第一分部與所述第一柵極金屬線交疊以構(gòu)成所述第二雙柵薄膜晶體管的雙柵極。
進一步地,一行所述像素電路中,相鄰的所述第一雙柵薄膜晶體管的所述第一分部的延伸方向和所述第二雙柵薄膜晶體管的所述第一分部的延伸方向相反,且相鄰的所述第一雙柵薄膜晶體管的所述第一分部和所述第二雙柵薄膜晶體管的所述第一分部相連。
進一步地,所述第一像素電路還包括與所述第一雙柵薄膜晶體管相鄰的第三雙柵薄膜晶體管;
所述第三雙柵薄膜晶體管包括第三有源層和一個所述第二柵極金屬線,在垂直于所述襯底的方向上,所述第三有源層同時與所述第二柵極金屬線的第一分部與所述第一柵極金屬線交疊以構(gòu)成所述第三雙柵薄膜晶體管的雙柵極;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





