[實用新型]一種基于SIW的大頻率比背腔天線

有效

• 申請號: 201921820464.1
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN210607616U
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 涂治紅;蔡金濤;聶娜
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/28;H01Q5/307;H01Q13/10;H01Q13/18
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 馮炳輝

1.一種基于SIW的大頻率比背腔天線，其特征在于：包括介質基板、第一輻射貼片、第二輻射貼片、第三輻射貼片、第四輻射貼片、第一微帶饋線、第二微帶饋線、同軸饋線和若干金屬圓柱；所述第一輻射貼片、第二輻射貼片、第三輻射貼片、第四輻射貼片、第一微帶饋線和第二微帶饋線設在介質基板的上表面；所述第一微帶饋線和第二微帶饋線分別位于第一輻射貼片的兩端，并與該第一輻射貼片相連，且所述第一微帶饋線和第二微帶饋線的兩邊均開有縫隙，用于改善饋電處的阻抗匹配；所述第一輻射貼片上開有一個空位，所述第二輻射貼片、第三輻射貼片和第四輻射貼片從第一微帶饋線往第二微帶饋線的方向依次排布在該空位內；所述第三輻射貼片為縫隙輻射貼片，其上開有多條條形縫隙，用于實現貼片輻射，其中間開有一個半圓形縫隙，所述同軸饋線位于該半圓形縫隙中，使得同軸饋線與第三輻射貼片之間變成耦合饋電，從而提高天線阻抗匹配；所述金屬圓柱穿過介質基板分布在第三輻射貼片周圍和空位四周。

2.根據權利要求1所述的一種基于SIW的大頻率比背腔天線，其特征在于：所述第一輻射貼片、第二輻射貼片和第四輻射貼片均為長方形貼片，所述第三輻射貼片為正方形貼片，所述空位為長方形空位，所述金屬圓柱在第三輻射貼片四周排列成正方形結構，在長方形空位四周排列成長方形結構，并且在第一微帶饋線和第二微帶饋線附近分別排列成半圓形結構。

3.根據權利要求2所述的一種基于SIW的大頻率比背腔天線，其特征在于：所述第二輻射貼片的面積大于第三輻射貼片但小于第四輻射貼片，所述金屬圓柱在第一微帶饋線附近排列成的半圓形結構直徑小于其在第二微帶饋線附近排列成的半圓形結構。

4.根據權利要求2所述的一種基于SIW的大頻率比背腔天線，其特征在于：所述第一微帶饋線和第二微帶饋線分別連接第一輻射貼片兩短邊的中間部位，所述第一輻射貼片、第二輻射貼片、第三輻射貼片和第四輻射貼片同一中心線，且該中心線經過第一輻射貼片的短邊及第二輻射貼片與第四輻射貼片的長邊。

5.根據權利要求1所述的一種基于SIW的大頻率比背腔天線，其特征在于：所述第三輻射貼片上開有9條條形縫隙，按照3×3排列。

6.根據權利要求1所述的一種基于SIW的大頻率比背腔天線，其特征在于：所述介質基板的下表面設有金屬地板，所述金屬地板上開有一個圓孔，通過該圓孔實現對同軸饋線進行饋電。