[實用新型]一種新型功率MOS模組結構

有效

• 申請號: 201921815839.5
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN210403701U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 周文定
• 申請（專利權）人: 成都賽力康電氣有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L25/07
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 許志輝

本實用新型公開了一種新型功率MOS模組結構，包括雙面覆有銅箔的DBC板，所述DBC板上還設置有兩組功率MOS模組，每組功率MOS模組集成了至少2個并聯成排的MOS管，每組功率MOS模組的MOS管源極共同連接到一個DBC板上的源極輸出端銅箔和1個源極控制端銅箔，漏極連接到DBC板上的漏極輸入端銅箔，并且漏極輸入端銅箔上還引出有控制端子，柵極與柵極控制端銅箔連接，每組功率MOS模組的漏極輸入端銅箔和源極輸出端銅箔上還焊接有主端子。本實用新型布局緊湊，集成度高，體積小，有效降低電壓和電流的尖峰對整個電路的影響，防止器件燒壞。

技術領域

本實用新型涉及功率模組領域，特別是一種新型功率MOS模組結構。

背景技術

DBC板在電力電子模塊技術中，主要是作為各種芯片如IGBT芯片、Diode芯片、電阻、SiC芯片等的承載體，DBC板通過表面覆銅層完成芯片部分連接極或者連接面的連接，功能近似于PCB板。隨著電子電力技術的發展，MOS管以其高頻性能好、開關損耗小、輸出阻抗高、驅動功率小等優點被越來越廣泛的應用。功率MOS模塊是MOS管按一定的功能組合再灌封成一個模塊，其功率MOS模塊使用時候通常需要配合其他外部器件進行使用，現有的功率模塊集成度不高，輸出功率較小，模塊利用率低，輸入輸出端子較多，結構復雜，功率模塊的制作體積大，由于功率MOS模塊在DBC板上的布線問題，與外部電連接復雜模塊內產生較大的寄生電容和電感，在功率MOS模塊的關斷和開啟過程中，MOS管柵極將產生電壓尖峰脈沖，損壞器件，功率MOS模塊易燒毀，影響整個電路的正常工作。

發明內容

本實用新型的目的在于：提出一種新型功率MOS模組結構，解決了上述背景技術中的問題。

本實用新型采用的技術方案如下：

本實用新型公開了一種新型功率MOS模組結構，包括雙面覆有銅箔的DBC板，所述DBC板上還設置有兩組功率MOS模組，每組功率MOS模組集成了至少2個并聯成排的MOS管，每組功率MOS模組的MOS管源極共同連接到一個DBC板上的源極輸出端銅箔和1個源極控制端銅箔，漏極連接到DBC板上的漏極輸入端銅箔，并且漏極輸入端銅箔上還引出有控制端子，柵極與柵極控制端銅箔連接，每組功率MOS模組的漏極輸入端銅箔和源極輸出端銅箔上還焊接有主端子，其中一組功率MOS模組連接的源極輸出端銅箔與另一組功率MOS模組連接的漏極輸入端銅箔連接并且共用一個主端子。

在本實用新型中，每組功率MOS模組集成了至少2個并聯成排的MOS管，MOS管布局緊湊，集成度高，能夠輸出更大的功率；每組功率MOS模組的漏極輸入端銅箔引出有控制端子，源極連接1個源極控制端銅箔用于外接驅動板電路，功率MOS模組的漏極輸入端銅箔和源極輸出端銅箔上還焊接有主端子，用于連接大電流輸出回路，功率MOS模組的源極輸出回路和控制端分離，避免了與源極大電流輸出回路之間的相互影響，降低電壓和電流的尖峰對整個電路的影響，防止器件燒壞；整個DBC板上的MOS管布線緊湊，有效降低寄生電感和電容等。在本實用新型中，其中一組功率MOS模組連接的源極輸出端銅箔與另一組功率MOS模組連接的漏極輸入端銅箔連接，并且共同連接一個主端子，該主端子設置在DBC板的一側與外部Vo連接，DBC板的另一側還設置有兩個主端子分別與V+、V-連接，外接V+的主端子焊接在上述其中一組功率MOS模組的漏極輸入端銅箔，外接V-的主端子焊接在上述另一組功率MOS模組的源極輸出端銅箔上，采用三個主端子的小型化DBC板，外接大電流輸出回路，其結構簡單，簡化布線，可應用于電機控制，BMS場合，通過對DBC內部布線的改變，實現模塊的多功能化。

進一步的，每組功率MOS模組又分為至少兩個并聯的功率MOS小模組，每個功率MOS小模組的MOS管柵極分別連接1個柵極控制端銅箔，每個柵極控制端銅箔均由外部電路控制連接。采用上述結構，兩個并聯的功率MOS小模組的柵極不直接連接，分別與1個柵極控制端銅箔連接，2個柵極控制端銅箔均由外部電路控制連接，可有效的降低MOS管應用中柵極的電壓尖峰脈沖。