[實用新型]寫操作電路和半導體存儲器

有效

• 申請號: 201921804715.7
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN211125039U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 張良
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/409
• 分類號: G11C11/409
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 包莉莉;武晨燕

1.一種寫操作電路，應用于半導體存儲器，其特征在于，包括：

數據判斷模塊，用于根據所述半導體存儲器的輸入數據中為高的數據的位數，確定是否翻轉所述輸入數據，以生成翻轉標識數據和第一中間數據；

數據緩沖模塊，包括多個PMOS晶體管和多個第一反相器，所述PMOS晶體管的柵極通過所述第一反相器連接于所述數據判斷模塊，以接收第二中間數據，所述PMOS晶體管的漏極連接于全局總線，所述數據緩沖模塊用于根據所述第二中間數據，確定是否翻轉所述全局總線，其中，所述第二中間數據為所述第一中間數據的反相數據；

數據接收模塊，連接于存儲塊，所述數據接收模塊接收所述全局總線上的全局總線數據，并通過所述翻轉標識信號線接收所述翻轉標識數據，用于根據所述翻轉標識數據，對所述全局總線數據進行解碼，并將解碼后的數據寫入所述半導體存起的存儲塊，所述解碼包括確定是否翻轉所述全局總線數據；

預充電模塊，連接于預充電信號線，用于將所述全局總線的初始態設置為低。

2.根據權利要求1所述的寫操作電路，其特征在于，還包括串并轉換電路，連接于所述半導體存儲器的DQ端口和所述數據判斷模塊之間，用于對所述DQ端口的第一輸入數據進行串并轉換，以生成第二輸入數據；所述數據判斷模塊用于根據所述第二輸入數據中為高的數據的位數，確定是否翻轉所述第二輸入數據，以生成所述翻轉標識數據和所述第一中間數據。

3.根據權利要求2所述的寫操作電路，其特征在于，所述第二輸入數據被劃分為M組，每組第二輸入數據為N位，其中，M和N為大于1的整數，所述數據判斷模塊還用于輸出M位翻轉標識數據和M組第一中間數據，M位翻轉標識數據與M組第二輸入數據一一對應，M位翻轉標識數據和M組第一中間數據一一對應。

4.根據權利要求2所述的寫操作電路，其特征在于，所述數據判斷模塊包括：

數據判斷單元，所述數據判斷單元的輸入端連接于所述串并轉換電路，所述數據判斷單元的輸出端與所述翻轉標識信號線連接，所述數據判斷單元用于輸入預設值，并根據所述第二輸入數據中為高的數據的位數與所述預設值輸出所述翻轉標識數據；

數據選擇器，所述數據選擇器的輸入端連接于所述數據判斷單元，用于通過所述數據判斷單元接收所述第二輸入數據，所述數據選擇器的輸入端還通過所述翻轉標識信號線接收所述翻轉標識數據，所述數據選擇器的輸出端與所述第一反相器的輸入端連接，所述數據選擇器用于根據所述翻轉標識數據和所述第二輸入數據輸出所述第一中間數據。

5.根據權利要求4所述的寫操作電路，其特征在于，所述數據選擇器包括多個數據選擇單元，所述數據選擇單元包括：

第二反相器，所述第二反相器的輸入端通過所述翻轉標識信號線接收所述翻轉標識數據；

第三反相器，所述第三反相器的輸入端連接于所述數據判斷單元，用于從所述數據判斷單元接收所述第二輸入數據；

第一傳輸門，所述第一傳輸門的輸入端連接于所述第三反相器的輸出端，所述第一傳輸門的輸出端與所述第一反相器的輸入端連接，用于輸出所述第一中間數據，所述第一傳輸門的反控制端連接于所述第二反相器的輸出端，所述第一傳輸門的正控制端通過所述翻轉標識信號線接收所述翻轉標識數據；

第二傳輸門，所述第二傳輸門的輸入端連接于所述數據判斷單元，用于從所述數據判斷單元接收所述第二輸入數據，所述第二傳輸門的輸出端與所述第一反相器的輸入端連接，用于輸出所述第一中間數據，所述第二傳輸門的反控制端通過所述翻轉標識信號線接收所述翻轉標識數據，所述第二傳輸門的正控制端連接于所述第二反相器的輸出端。

6.根據權利要求3所述的寫操作電路，其特征在于，所述全局總線數據為M組，M位翻轉標識數據與M組全局總線數據一一對應，所述數據接收模塊包括M個數據接收單元，所述數據接收單元連接于所述存儲塊，所述數據接收單元用于根據一位翻轉標識數據，對對應組的全局總線數據進行所述解碼。