[實用新型]氮化鎵HEMT管集成電路、反激電路、無橋PFC電路及雷達

有效

• 申請號: 201921800801.0
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN210578467U
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 何川;趙起越
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H03K3/353
• 分類號: H03K3/353;H03K3/01;G01S7/484;G01S7/282
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 張彬彬

本實用新型涉及一種氮化鎵HEMT管集成電路、反激電路、無橋PFC電路及雷達。其中，氮化鎵HEMT管集成電路包括：封裝于管殼內的第一氮化鎵HEMT管、反向續流單元及泄放單元；反向續流單元的輸入端連接第一氮化鎵HEMT管的源極，輸出端連接第一氮化鎵HEMT管的漏極，用于與第一氮化鎵HEMT管構成反向續流回路；泄放單元的輸入端連接第一氮化鎵HEMT管的漏極，輸出端用于接地，用于為第一氮化鎵HEMT管進行電流泄放。通過針對主管芯第一氮化鎵HEMT管配置反向續流單元，使氮化鎵HEMT管集成電路具備良好的反向續流能力，配置泄放單元為第一氮化鎵HEMT泄放電流，提高雪崩耐量，從而提高主管芯第一氮化鎵HEMT管的容限范圍，能夠在更多場景下取代MOSFET，獲得比MOSFET更優的性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別是涉及一種氮化鎵HEMT管集成電路、反激電路、無橋PFC電路及雷達。

背景技術

隨著對于科技產品的技術迭代，無論是消費電子產品、通訊硬件、電動車還是家用電器，如何提升電源轉換能效、提高功率密度水平、延長電池使用時間和加快開關速度都是必須考慮的問題。基于這些問題的改善，電子產業定會變得越來越依賴于新型的功率半導體——氮化鎵(GaN)HEMT(High Electron Mobility Transistor,高電子遷移率晶體管)。

與MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬 -氧化物半導體場效應晶體管)比較，氮化鎵HEMT管可以更快速的轉換。但與 MOSFET相比，氮化鎵HEMT管反向續流能力差，并且雪崩性能差，在一些應用場景下無法完全取代MOSFET。

實用新型內容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種氮化鎵HEMT管集成電路、反激電路、無橋PFC電路及雷達。

一種氮化鎵HEMT管集成電路，包括：封裝于管殼內的第一氮化鎵HEMT管、反向續流單元及泄放單元；

反向續流單元的輸入端連接第一氮化鎵HEMT管的源極，輸出端連接第一氮化鎵HEMT管的漏極，用于與第一氮化鎵HEMT管構成反向續流回路；

泄放單元的輸入端連接第一氮化鎵HEMT管的漏極，輸出端用于接地，用于為第一氮化鎵HEMT管進行電流泄放。

在其中一個實施例中，反向續流單元包括：第二氮化鎵HEMT管；

第二氮化鎵HEMT管的源極與第一氮化鎵HEMT管的漏極連接，漏極與第一氮化鎵HEMT管的源極連接；

第二氮化鎵HEMT管的柵極與漏極連接。

在其中一個實施例中，反向續流單元還包括：第三氮化鎵HEMT管及第一電阻；

第一電阻的第一端與第一氮化鎵HEMT管的漏極連接，第二端與第二氮化鎵 HEMT管的源極連接；

第三氮化鎵HEMT管的柵極與第二氮化鎵HEMT管的源極連接，漏極與第一氮化鎵HEMT管的源極連接，源極與第一電阻的第一端連接。

在其中一個實施例中，泄放單元包括：第二電阻、第三電阻及第四氮化鎵 HEMT管；

第二電阻的第一端連接第四氮化鎵HEMT管的柵極，第二端用于接地；

第三電阻的第一端連接第一氮化鎵HEMT管的漏極，第二端連接第四氮化鎵 HEMT管的柵極；

第四氮化鎵HEMT管的漏極連接第三電阻的第一端，源極用于接地。

在其中一個實施例中，泄放單元還包括：第四電阻及第五氮化鎵HEMT管；

第四電阻的第一端連接第四氮化鎵HEMT管的源極，第二端用于接地；