[實用新型]一種氮化鎵元器件及氮化鎵封裝固定結構

有效

• 申請號: 201921796389.X
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN210296340U
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 顧吉;劉晨;叢孫麗
• 申請（專利權）人: 無錫太湖學院
• 主分類號: H01L23/047
• 分類號: H01L23/047;H01L29/78;H01L29/20
• 代理公司: 合肥方舟知識產權代理事務所(普通合伙) 34158
• 代理人: 宋萍

本實用新型公開了一種氮化鎵元器件，包括：定位板和載芯板；所述定位板的表面開設有圓形結構的定位孔，所述載芯板的上表面分別設置有SBD芯片、漏極引腳、源極引腳、柵極引腳和工作芯片；一種氮化鎵元器件的封裝固定結構，包括封裝；所述封裝由封裝罩和封裝蓋組成，其中，封裝罩為具有兩端開口的中空矩形結構，封裝蓋位于封裝罩的一側開口端外壁，所述封裝罩的外壁且靠近封裝蓋的一側開設有圓形結構的散熱孔。本實用新型中，該氮化鎵元器件均采用氮化鎵材料的SBD芯片和工作芯片，礦業防止工作芯片受到較高的電壓沖擊而發生被擊穿的現象，同時兩者均擁有良好的耐高溫性能，能夠滿足惡劣條件下的芯片使用需求，確保氮化鎵元器件的使用安全性。

技術領域

本實用新型涉及氮化鎵電子元器件技術領域，尤其涉及一種氮化鎵元器件及氮化鎵封裝固定結構。

背景技術

氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，起常用在發光二極管中，此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高，氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下，產生紫光激光，因此其在現在電子工業產品只具有廣泛的使用基礎和良好的發展前景。

現有的氮化鎵元器件及氮化鎵封裝固定結構在受到較高的電壓沖擊時，容易發生工作芯片被擊穿的現象，導致氮化鎵元器件發生損壞故障的現象，降低了氮化鎵元器件的使用安全性，同時氮化鎵的封裝結構相對整體，當氮化鎵元器件發生損壞時，往往需要對氮化鎵進行整體更換，從而增大了氮化鎵元器件的使用成本。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種氮化鎵元器件及氮化鎵封裝固定結構。

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：一種氮化鎵元器件，包括：定位板和載芯板；

所述定位板的表面開設有圓形結構的定位孔；

所述定位板的兩側外壁對稱開設有矩形結構的凹陷部；

所述載芯板的上表面分別設置有SBD芯片、漏極引腳、源極引腳、柵極引腳和工作芯片，其中，SBD芯片與漏極引腳電性連接，工作芯片與漏極引腳、源極引腳、柵極引腳電性連接。

作為上述技術方案的進一步描述：

所述SBD芯片與工作芯片均為氮化鎵元件芯片。

作為上述技術方案的進一步描述：

還包括封裝槽；

所述封裝槽的數量為兩個，兩個所述封裝槽平行且對稱開設在載芯板的表面；

兩個所述封裝槽的橫截面均為三段式結構，其中端為矩形結構，兩端為圓形結構。

作為上述技術方案的進一步描述：

還包括絕緣膜；

所述絕緣膜包裹在載芯板的外壁；

所述絕緣膜的四個拐角處均為倒圓角平滑結構。

作為上述技術方案的進一步描述：

所述載芯板由氮化鎵外延層、摻雜阻斷層和襯底組成，其中，氮化鎵外延層位于摻雜阻斷層的上方，襯底位于摻雜阻斷層的下方。

作為上述技術方案的進一步描述：

還包括銜接片；

所述銜接片設置在漏極引腳、源極引腳、柵極引腳的一端；

所述銜接片的上表面平行鋪設有金屬接觸片；

所述銜接片的上表面且位于金屬接觸片的上方設置有壓片。

一種氮化鎵元器件的封裝固定結構，包括封裝；