[實(shí)用新型]振蕩電路及時(shí)鐘電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921792091.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN211352180U
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳凱;陳國(guó)棟;江亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H03L7/099
• 分類號(hào): H03L7/099
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種振蕩電路，其特征在于，包括：

控制電流生成模塊，根據(jù)偏置電壓和限流電阻之間的比值產(chǎn)生一控制電流；以及

環(huán)形振蕩模塊，與所述控制電流生成模塊連接，根據(jù)所述控制電流生成具有設(shè)定頻率的振蕩信號(hào)，

所述環(huán)形振蕩模塊包括：

多個(gè)反相器，所述多個(gè)反相器依次級(jí)聯(lián)成環(huán)形回路，最后一級(jí)所述反相器的輸出端輸出所述振蕩信號(hào)；以及

多個(gè)電容，分別連接在相應(yīng)的所述反相器的輸出端與參考地之間，

其中，所述偏置電壓與所述反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓溫漂特性一致。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述控制電流生成模塊包括：

放大器，包括第一輸入端、第二輸入端以及輸出端；

第一晶體管，所述第一晶體管的第一端和控制端短接，并與所述放大器的第一輸入端連接于第一節(jié)點(diǎn)，第二端接地；

限流電阻，所述限流電阻的第一端與所述放大器的第二輸入端連接于第二節(jié)點(diǎn)，第二端接地；以及

電流鏡電路，包括第一至第三輸出端以及控制端，第一輸出端與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二輸出端與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述第三輸出端輸出所述控制電流，所述控制端與所述放大器的輸出端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩電路，其特征在于，所述電流鏡電路包括第二至第四晶體管，

其中，所述第二至第四晶體管的第一端均與電源電壓連接，

所述第二至第四晶體管的控制端彼此連接以作為所述電流鏡電路的控制端，

第二晶體管的第二端作為所述第一輸出端以連接至所述第一節(jié)點(diǎn)，

第三晶體管的第二端作為所述第二輸出端以連接至所述第二節(jié)點(diǎn)，

所述第四晶體管的第二端作為所述第三輸出端以輸出所述控制電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振蕩電路，其特征在于，每個(gè)所述反相器都包括：

依次串聯(lián)連接于所述第三輸出端與地之間的第五晶體管和第六晶體管，

所述第五晶體管和所述第六晶體管的控制端彼此連接以作為所述反相器的輸入端，

所述第五晶體管和所述第六晶體管的中間節(jié)點(diǎn)作為所述反相器的輸出端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩電路，其特征在于，所述第一晶體管和所述第六晶體管為NMOS管，

所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管為PMOS管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的振蕩電路，其特征在于，所述偏置電壓約等于MOS管的閾值電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振蕩電路，其特征在于，所述反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓約等于MOS管的閾值電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩電路，其特征在于，所述偏置電壓約等于所述反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓，所述振蕩信號(hào)的振蕩周期為：

T＝n×R0×C0

其中，n表示所述反相器的數(shù)量，且n為大于0的奇數(shù)，R0表示所述限流電阻的電阻值，C0表示所述電容的電容值。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩電路，其特征在于，所述限流電阻為零溫度系數(shù)電阻，所述多個(gè)電容為零溫度系數(shù)電容。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩電路，其特征在于，所述限流電阻為正溫度系數(shù)電阻，所述多個(gè)電容為負(fù)溫度系數(shù)電容，或者所述限流電阻為負(fù)溫度系數(shù)電阻，所述多個(gè)電容為正溫度系數(shù)電容。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩電路，其特征在于，所述第五晶體管的導(dǎo)通電阻小于所述第四晶體管的導(dǎo)通電阻的十分之一。