[實用新型]一種IBC電池的電極主柵線結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921777978.3 | 申請日: | 2019-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN210628324U | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李躍恒;郭永剛;屈小勇;吳翔;申海超;席珍珍;馬國寶 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;黃河水電西寧太陽能電力有限公司;青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發(fā)有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ibc 電池 電極 主柵線 結構 | ||
本實用新型的目的在于公開一種IBC電池的電極主柵線結構,包括分別連接正電極和負電極的正電極主柵線和負電極主柵線,所述正電極主柵線的圖形結構和所述負電極主柵線的圖形結構互不相同,所述正電極主柵線和所述負電極主柵線上分別設置有不同形狀結構的凸出部、凹陷部和鏤空部中的至少一種形狀結構,所述正電極主柵線和所述負電極主柵線連接有細柵線;與現(xiàn)有技術相比,通過將正電極主柵線的圖形和負電極主柵線的圖形進行區(qū)分,從而便于組件焊接時進行區(qū)分,減少組件焊接出現(xiàn)錯誤的概率;通過凹陷部、凸出部和鏤空部的設計,提高了主柵線的電流收集能力和降低遮光面積,進而減少漿料的使用降低生產成本,提升電池的轉換效率,實現(xiàn)本實用新型的目的。
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池及其制備方法,特別涉及一種IBC電池的電極主柵線結構。
背景技術
太陽能是一種清潔、高效和永不衰竭的新能源,是重要的可再生能源之一。隨著太陽能行業(yè)的發(fā)展,更多的客戶及太陽能電池片制造商越來越重視電池片的效率。
近年來,國內外對IBC太陽能電池進行了大量研究,有結果顯示:IBC太陽能電池是未來具有替代目前的PERC可能,IBC太陽能電池可以明顯提升電池的轉換效率,并特別適合于屋頂使用等優(yōu)點。
傳統(tǒng)的IBC太陽能電池的正電極主柵線和負電極主柵線是相同的,在組件制作的時候經(jīng)常會出現(xiàn)正負極焊接錯誤的現(xiàn)象產生,而且正電極主柵線和負電極主柵線的面積較大,會導致漿料濕重增多成本升高。
因此,特別需要一種IBC電池的電極主柵線結構,以解決上述現(xiàn)有存在的問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種IBC電池的電極主柵線結構,針對現(xiàn)有技術的不足,減少組件焊接出現(xiàn)錯誤的概率,提高主柵線的電流收集能力和降低遮光面積,進而減少漿料的使用降低生產成本,提升電池的轉換效率。
本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現(xiàn):
一種IBC電池的電極主柵線結構,其特征在于,包括分別連接正電極和負電極的正電極主柵線和負電極主柵線,所述正電極主柵線的圖形結構和所述負電極主柵線的圖形結構互不相同,所述正電極主柵線和所述負電極主柵線上分別設置有不同形狀結構的凸出部、凹陷部和鏤空部中的至少一種形狀結構,所述正電極主柵線和所述負電極主柵線連接有細柵線。
在本實用新型的一個實施例中,所述正電極主柵線的凸出部與所述負電極主柵線的凸出部相互錯開排列。
在本實用新型的一個實施例中,所述正電極主柵線的凹陷部與所述負電極主柵線的凹陷部相互錯開排列。
在本實用新型的一個實施例中,所述正電極主柵線的鏤空部與所述負電極主柵線的鏤空部相互錯開排列。
在本實用新型的一個實施例中,所述凸出部的形狀結構包括但不限于三角形、半圓形和弧形。
在本實用新型的一個實施例中,所述凹陷部的形狀結構為至少一個凹陷的弧形連接結構。
在本實用新型的一個實施例中,所述正電極主柵線的圖形結構與所述負電極主柵線的圖形結構是不相同的,其中一種主柵線的圖形作為正電極時,另外一種主柵線的圖形即為負電極。
在本實用新型的一個實施例中,所述正電極主柵線和所述負電極主柵線是成對設置的,所述正電極主柵線和所述負電極主柵線的數(shù)量為至少1對。
本實用新型的IBC電池的電極主柵線結構,與現(xiàn)有技術相比,通過將正電極主柵線的圖形和負電極主柵線的圖形進行區(qū)分,從而便于組件焊接時進行區(qū)分,減少組件焊接出現(xiàn)錯誤的概率;通過凹陷部、凸出部和鏤空部的設計,提高了主柵線的電流收集能力和降低遮光面積,進而減少漿料的使用降低生產成本,提升電池的轉換效率,實現(xiàn)本實用新型的目的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





