[實用新型]一種TOPCON鈍化結構

有效

• 申請號: 201921776985.1
• 申請日: 2019-10-22
• 公開（公告）號: CN210778615U
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 屈小勇;高嘉慶;張博;胡林娜
• 申請（專利權）人: 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;黃河水電西寧太陽能電力有限公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0747
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司 31253
• 代理人: 安曼

本實用新型的目的在于公開一種TOPCON鈍化結構，包括N型或P型的硅片基體，在所述硅片基體的表面由內至外依次設置有隧穿二氧化硅層、TOPCon結構的摻雜多晶硅層/非晶硅層、含磷的氧化硅層SiOx：P或含硼的氧化硅層SiOx：B及SiNx頂蓋層；與現有技術相比，通過退火過程生長的含磷氧化硅層SiOx：P或者含硼氧化硅層SiOx：B作為太陽能電池TOPCon結構的表面鈍化層，不需要額外的工序來實現摻雜層表面鈍化層生長，簡化太陽能電池制備工藝流程，提高了TOPCon結構對硅片基體摻雜層的鈍化質量，實現本實用新型的目的。

技術領域

本實用新型涉及一種太陽能電池的鈍化結構，特別涉及一種TOPCON鈍化結構。

背景技術

光伏發電是當前利用太陽能的主要方式之一，太陽能光伏發電因其清潔、安全、便利和高效等特點，已成為世界各國普遍關注和重點發展的新興產業。因此，深入研究和利用太陽能資源，對緩解資源危機、改善生態環境具有十分重要的意義。

TOPCon鈍化結構集合了化學鈍化和場鈍化的優勢于一體，相比傳統的化學鈍化結構SiOx以及場鈍化結構AlOx、SiNx，TOPCon鈍化結構對硅基體的摻雜層表面有更優異鈍化效果。而且TOPCon鈍化結構可以減少甚至消除金屬電極與硅基體摻雜區形成金屬接觸部分的復合電流，降低接觸電阻。TOPCon鈍化結構作為太陽電池鈍化層可以大幅改善電池表面鈍化效果，提升電池轉換效率。

常規的TOPCon鈍化結構摻雜的多晶硅/非晶硅表面采用SiNx作為鈍化層，由于SiNx對多晶硅/非晶硅表面鈍效果較差，影響TOPCon結構對硅基體摻雜層的鈍化質量，限制的電池轉換效率的進一步提升。

因此，特別需要一種TOPCON鈍化結構，以解決上述現有存在的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種TOPCON鈍化結構，針對現有技術的不足，對硅基體摻雜層具有優異鈍化效果，以提高太陽能電池的光電轉化效率。

本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現：

一種TOPCON鈍化結構，其特征在于，包括N型或P型的硅片基體，在所述硅片基體的表面由內至外依次設置有隧穿二氧化硅層、TOPCon結構的摻雜多晶硅層/非晶硅層、含磷的氧化硅層SiOx：P或含硼的氧化硅層SiOx：B及SiNx頂蓋層；所述隧穿二氧化硅層的厚度為0-5nm，所述TOPCon結構的摻雜多晶硅層或非晶硅層的厚度為5-5000nm，所述含磷的氧化硅層SiOx：P或者含硼的氧化硅層SiOx：B的厚度為1-200nm，所述SiNx頂蓋層的厚度為1-200nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述隧穿二氧化硅層的厚度為1-2nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述TOPCon結構的摻雜多晶硅層或非晶硅層的厚度為100-200nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述含磷氧化硅層SiOx：P的厚度為10-20nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述含硼氧化硅層SiOx：B的厚度為10-20nm。

在本實用新型的一個實施例中，所述SiNx頂蓋層的厚度為50-140nm。

本實用新型的TOPCON鈍化結構，與現有技術相比，通過退火過程生長的含磷氧化硅層SiOx：P或者含硼氧化硅層SiOx：B作為太陽能電池TOPCon結構的表面鈍化層，不需要額外的工序來實現摻雜層表面鈍化層生長，簡化太陽能電池制備工藝流程，提高了TOPCon結構對硅片基體摻雜層的鈍化質量，實現本實用新型的目的。

本實用新型的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。

附圖說明

圖1為本實用新型的TOPCON鈍化結構的結構示意圖。