[實(shí)用新型]一種集成芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921770901.3
• 申請(qǐng)日: 2019-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN210628308U
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史波;陳道坤;曾丹;敖利波;肖婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L21/8258
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 劉紅彬

1.一種集成芯片，其特征在于，包括：

晶圓層，所述晶圓層包括第一單晶硅層、第二單晶硅層以及設(shè)置于所述第一單晶硅層和所述第二單晶硅層之間的二氧化硅介質(zhì)層，所述第一單晶硅層包括凹槽區(qū)域，所述凹槽區(qū)域?qū)⑺龅谝粏尉Ч鑼臃指舫芍虚g區(qū)域和邊緣區(qū)域，所述第一單晶硅層位于中間區(qū)域的部位形成有第一芯片；

形成于所述第一單晶硅層背離第二單晶硅層一側(cè)的第一介質(zhì)層；

形成于所述第一介質(zhì)層背離所述第一單晶硅層的第一金屬部，所述第一金屬部與對(duì)應(yīng)的所述第一芯片的電連接部之間通過過孔電性連接；

形成于所述第二單晶硅層背離所述第一單晶硅層一側(cè)的第二芯片器件層，所述第二芯片器件層形成第二芯片；

形成于所述第二芯片器件層背離所述第二單晶硅層一側(cè)的第二介質(zhì)層；

形成于所述第二介質(zhì)層背離所述第二芯片器件層一側(cè)的第二金屬部，所述第二金屬部與對(duì)應(yīng)的所述第二芯片的電連接部之間通過過孔電性連接；所述第二金屬部通過貫穿所述第二介質(zhì)層、第二芯片器件層、晶圓層、第一介質(zhì)層的過孔與對(duì)應(yīng)的所述第一金屬部電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其特征在于，還包括形成于所述第一金屬部背離所述第一單晶硅層一側(cè)的第一保護(hù)層和形成于所述第二金屬部背離所述第二單晶硅層一側(cè)的第二保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述第一保護(hù)層背離所述第一單晶硅層的一側(cè)表面設(shè)置有引線端，所述引線端通過貫穿所述第一保護(hù)層的過孔與所述第一金屬部電性連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其特征在于，還包括形成于所述第二芯片器件層與所述第二單晶硅層之間的緩沖層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其特征在于，還包括形成于所述第二芯片器件層中用于將相鄰的第二芯片進(jìn)行隔離的隔離結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第一芯片為驅(qū)動(dòng)芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二芯片為氮化鎵高電子遷移率晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其特征在于，還包括設(shè)置于貫穿所述第二介質(zhì)層、第二芯片器件層、晶圓層、第一介質(zhì)層的過孔側(cè)壁的絕緣層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成芯片，其特征在于，所述絕緣層為二氧化硅層。