[實用新型]一種半導體制冷片有效
| 申請號: | 201921750235.7 | 申請日: | 2019-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN211011987U | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發明(設計)人: | 耿靳財;祁奇 | 申請(專利權)人: | 青云志能源科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | F25B21/02 | 分類號: | F25B21/02 |
| 代理公司: | 蘇州啟華專利代理事務所(普通合伙) 32357 | 代理人: | 徐偉華 |
| 地址: | 215222 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 制冷 | ||
1.一種半導體制冷片,其特征在于:包括制冷層、制熱層以及設置于所述制冷層和所述制熱層之間的若干半導體晶粒,所述制熱層的外面表設置有散熱結構,所述散熱結構包括與所述制熱層相連的導熱管以及與所述導熱管相連的散熱片組件。
2.如權利要求1所述的半導體制冷片,其特征在于:所述制熱層中設置有安裝孔,所述導熱管設置于所述安裝孔中。
3.如權利要求2所述的半導體制冷片,其特征在于:所述安裝孔的內徑和所述導熱管的外徑相匹配。
4.如權利要求1所述的半導體制冷片,其特征在于:所述制冷層和所述制熱層的內表面分別設置有與所述若干半導體晶粒相配合的若干收容槽,所述若干半導體晶粒分別位于所述若干收容槽中。
5.如權利要求4所述的半導體制冷片,其特征在于:所述收容槽中設置有導流片,所述導流片的高度低于所述收容槽的高度。
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