[實(shí)用新型]一種電源線結(jié)構(gòu)、功率芯片及供電模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921741801.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210640248U | 公開(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝育樺;何林飛;聶玉慶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
| 地址: | 519070*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電源線 結(jié)構(gòu) 功率 芯片 供電 模塊 | ||
本實(shí)用新型提供了一種電源線結(jié)構(gòu)、功率芯片及供電模塊,涉及集成電路領(lǐng)域。包括輸入線和輸出線,輸入線靠近輸出線的一端設(shè)有第一連接部,輸出線靠近輸入線的一端設(shè)有第二連接部;第一連接部包括依次連接的多個(gè)第一子段,每一第一子段在第二方向上的平均寬度,沿第一方向依次減小;第二連接部包括依次連接的多個(gè)第二子段,每一第二子段在第二方向上的平均寬度,沿第一方向依次增大。本實(shí)用新型提供的電源線結(jié)構(gòu)在工作時(shí),通過將第一連接部設(shè)置為整體寬度逐漸減小,將第二連接部設(shè)置為整體寬度逐漸增大,使本實(shí)用新型提供的電源線結(jié)構(gòu),具有更好的電遷移特性和更均勻的電流下降和上升梯度,最終使得電源線結(jié)構(gòu)具有更佳的電流承載能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及集成電路領(lǐng)域,具體而言,涉及一種電源線結(jié)構(gòu)、功率芯片及供電模塊。
背景技術(shù)
LDO(low dropout regulator)是SOC芯片內(nèi)的重要組成部分。其可以將芯片外部的電源電壓轉(zhuǎn)換為適合芯片內(nèi)核數(shù)字邏輯的電源電壓,其性能好壞直接影響芯片的穩(wěn)定和性能。在進(jìn)行LDO在設(shè)計(jì)時(shí),為了滿足供電需求,必須充分考慮其功率管組(多個(gè)沿同一方向排列且相互并聯(lián)的功率管)的電源線的電流輸入輸出能力。目前的電源線的設(shè)計(jì)方案,多采用多條等寬金屬線平行引入引出的方案(如圖1所示)。這種方案,很容易滿足小電流(例如100~200mA)的供電設(shè)計(jì)指標(biāo),但對(duì)大電流(例如≥400mA)的承載能力較差,很容易出現(xiàn)金屬線電流容量不足的情況。而在金屬線的鋪設(shè)時(shí),金屬線與功率管組的連接部分,需要被限制在功率管組對(duì)應(yīng)的鋪設(shè)區(qū)域內(nèi)(圖1中虛線框所示區(qū)域),故而也無法通過直接增加金屬線寬度的方式來提升電源線的電流承載能力。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供了一種電源線結(jié)構(gòu)、功率芯片及供電模塊,旨在提供一種相較于現(xiàn)有方案能夠?qū)﹄娏鞒休d能力更佳的電源線結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種電源線結(jié)構(gòu),用于連接多個(gè)沿第一方向排列的功率器件,所述電源線結(jié)構(gòu)包括輸入線和輸出線,所述輸入線靠近所述輸出線的一端設(shè)有第一連接部,所述輸出線靠近所述輸入線的一端設(shè)有第二連接部,所述第一連接部與每一所述功率器件的輸入極連接,所述第二連接部與每一所述功率器件的輸出極連接;
所述第一連接部包括沿第一方向依次連接的多個(gè)第一子段,每一所述第一子段在第二方向上的平均寬度,沿所述第一方向依次減小;
所述第二連接部包括沿第一方向依次連接的多個(gè)第二子段,每一所述第二子段在第二方向上的平均寬度,沿所述第一方向依次增大;
其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例中,每一所述第一子段在所述第二方向上的寬度處處相等;每一所述第二子段在所述第二方向上的寬度處處相等。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例中,任意相鄰兩個(gè)所述第一子段在所述第二方向上的寬度差相等;任意相鄰兩個(gè)所述第二子段在所述第二方向上的寬度差相等。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例中,相鄰兩個(gè)所述第一子段之間還包括第三子段,所述第三子段在所述第二方向上的寬度沿所述第一方向逐漸減小;相鄰兩個(gè)所述第二子段之間還包括第四子段,所述第四子段在所述第二方向上的寬度沿所述第一方向逐漸增大。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例中,所述第三子段和所述第四子段在所述第二方向上的寬度的變化率均為定值。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例中,每一所述第三子段在所述第二方向上的寬度的變化率均相等,每一所述第四子段在所述第二方向上的寬度的變化率均相等。
進(jìn)一步地,在本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例中,每一所述第一子段在所述第二方向上的寬度沿所述第一方向逐漸減小;每一所述第二子段在所述第二方向上的寬度沿所述第一方向逐漸增大。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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