[實用新型]一種Ka波段低耗緊湊型饋電網絡

有效

• 申請號: 201921738985.2
• 申請日: 2019-10-17
• 公開（公告）號: CN210744176U
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 蘇*;凌元;潘高峰
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍63686部隊
• 主分類號: H01Q21/00
• 分類號: H01Q21/00;H01P5/16
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波

本實用新型涉及一種Ka波段低耗緊湊型饋電網絡，包括一個波導口徑變換、四個E彎波導、一個E面單T和兩個E面變異單T，所述波導口徑變換依次與兩個E彎波導、E面單T相連后形成一路1∶2合成/分配器，其中波導口徑變換形成一個波導輸入端口；另外兩個E彎波導的一端分別與E面單T的兩端相連，另一端分別連接兩個E面變異單T后形成2路1∶2合成/分配器，其中兩個E面變異單T形成四個輸出端口；通過級聯形成了波導口徑變換到E面變異單T的四分合成/分配器。本實用新型通過變異E面T及E面單T實現網絡的合成/分配功能，通過調整其匹配方式來實現T的寬帶特性。

技術領域

本實用新型涉及一種Ka波段低耗緊湊型饋電網絡。屬于微波技術領域。

背景技術

毫米波頻段是目前軍事電子技術發展的主要頻段，廣泛應用于導彈精確制導、雷達、保密通信、電子對抗和測試技術等方面。為了獲得更大的輸出功率，工程上需要采用功率合成技術，將多個有源放大器并聯合成輸出。在功率合成過程中，合成方式是決定大功率輸出效率、合成復雜度等指標的重要因素。目前，常用的合成方式主要有二進制結構的電路合成、自由空間功率合成和波導結構的電路合成方式等。其中，空間功率合成建模和設計復雜、散熱困難；基于微帶結構的電路合成方式損耗大，合成效率低；而波導結構的電路合成方式損耗小、合成效率高、散熱良好。因此，近年來國內外多個科研院所對波導結構的功率合成器進行了研究，可以說功率合成器饋電網絡是雷達天線陣面的最主要的組成部分之一，其性能的好壞直接關系到天線波束的性能。毫米波雷達通常對饋電網絡的體積、重量、損耗有極其苛刻的要求。

在毫米波段要實現小損耗、高功率的饋電網絡，最佳的選擇是以波導元器件為基本單元的網絡形式。具體實現方式由標準魔T、寬/窄邊耦合電橋、單T、分支波導等部件級聯而成。這些網絡各有利弊，以魔T為單元的網絡體積大、重量重；以寬/窄邊耦合電為單元的網絡雖可以實現任意加權的網絡但體積也過于龐大。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種Ka波段低耗緊湊型饋電網絡，采用變異E面T結合E面單T等級聯而成，實現了耐高壓特性下極小空間內的任意微波信號分合。

本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為：一種Ka波段低耗緊湊型饋電網絡，包括一個波導口徑變換、四個E彎波導、一個E面單T和兩個E面變異單T，所述波導口徑變換依次與兩個E彎波導、E面單T相連后形成一路1∶2合成/分配器，其中波導口徑變換形成一個波導輸入端口；另外兩個E彎波導的一端分別與E面單T的兩端相連，另一端分別連接兩個E面變異單T后形成2路1∶2合成/分配器，其中兩個E面變異單T形成四個輸出端口；通過級聯形成了波導口徑變換到E面變異單T的四分合成/分配器。

優選地，所述波導口徑變換采用漸變阻抗變換器形式，由波導入口向內口徑逐漸變窄。

優選地，所述的四個E彎波導內腔采用外圈為圓弧、內圈為直角結構形式，提供更高的隔離度、避免自激現象。

優選地，所述E面單T為標準形式元件，采用匹配塊和膜片組合方式進行匹配，膜片位于E面單T的E面底部，保證TE₁₀波在此無限制傳播，通過耦合進入支臂；匹配塊位于膜片的對面，形狀為一個凸塊，用于補償耦合造成的阻抗失配。

優選地，所述E面變異單T把標準E面單T2形式下支臂分面傳輸方式轉變為共面傳輸，將E面變異單T內腔設計為Y型，采用漸變線阻抗匹配方式。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：

1、實現寬帶合成/分配功能：通過變異E面T及E面單T實現網絡的合成/分配功能，通過調整其匹配方式來實現T的寬帶特性。

2、實現高可靠特性：本實用新型網絡的基本單元為波導元件，大大提高了產品的可靠性。