[實用新型]可快速物理銷毀的安全移動存儲裝置及銷毀電路有效
| 申請號: | 201921725838.1 | 申請日: | 2019-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN210836095U | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 劉超;焦斌 | 申請(專利權)人: | 湖南君瀚信息技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F21/79 | 分類號: | G06F21/79 |
| 代理公司: | 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225 | 代理人: | 邱軼 |
| 地址: | 410000 湖南省長沙市岳麓區*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 快速 物理 銷毀 安全 移動 存儲 裝置 電路 | ||
1.一種可快速物理銷毀電路,包括存儲模塊、數據處理器、GSM通信模塊、定位模塊以及電源模塊,所述存儲模塊由NAND Flash芯片和主控芯片組成;所述電源模塊與存儲模塊、數據處理器、GSM通信模塊以及定位模塊連接;電源模塊連接外部電源,為系統中各個模塊供電;所述數據處理器分別與存儲模塊、GSM通信模塊、定位模塊以及電源模塊電性連接;所述GSM通信模塊通過天線接口與客戶終端通信連接;其特征在于,還包括銷毀主控芯片、若干電阻、電容以及MOS管,銷毀主控芯片采用單片機STC15F101W,數據處理器通過一個二極管D11連接單片機STC15F101W的P3.5接口;單片機STC15F101W的VCC接口接電源;單片機STC15F101W的GND接口接地;單片機STC15F101W的P3.1接口連接MOS管Q1的基極,MOS管Q1的集電極連接存儲模塊的NAND Flash芯片;電阻R585、電容C271的一端均連接MOS管Q1的基極,電阻R585、電容C271的另一端均連接MOS管Q1的發射極,MOS管Q1的發射極接地;單片機STC15F101W的P3.3接口通過R576連接存儲模塊的主控芯片。
2.根據權利要求1所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,所述單片機STC15F101W的P3.2接口與P3.4接口作為一個指示接口,連接的是一個指示燈。
3.根據權利要求1或2所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,所述定位模塊采用多模定位模塊。
4.根據權利要求3所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,所述多模定位模塊采用天工測控的SKG09DU的多模定位系統多頻率高性能GNSS模塊,用于獲取安全移動存儲裝置的實時位置信息。
5.根據權利要求1所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,還包括內部獨立電源,內部獨立電源在電源模塊與外部電源斷開的時候與GSM通信模塊、存儲模塊、銷毀主控芯片以及定位模塊電性連接,為各模塊供電。
6.根據權利要求1所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,存儲模塊的主控芯片采用ASIC芯片或FPGA芯片。
7.根據權利要求1所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,存儲模塊的主控芯片采用SMI 2246EN或xilinx K7/V7系列可編程邏輯器件。
8.根據權利要求1所述的可快速物理銷毀電路,其特征在于,GSM通信模塊采用上海移遠通信技術有限公司的M26模塊。
9.一種可快速物理銷毀的安全移動存儲裝置,其特征在于,包括如權利要求1-8中任意一項權利要求所述的可快速物理銷毀電路。
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