[實(shí)用新型]中頻信號(hào)源電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921699551.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210780727U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王晉杰;陳小榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都華興匯明科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03L7/085 | 分類號(hào): | H03L7/085;H03L7/093;H03L7/18;H03L7/099 |
| 代理公司: | 成都君合集專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 賈林 |
| 地址: | 610000 四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中頻 信號(hào)源 電路 | ||
1.中頻信號(hào)源電路,其特征在于:包括第一中頻源電路、第二中頻源電路、合路器;所述第一中頻源電路和第二中頻源電路均采用低相位噪聲晶振輸入本振信號(hào)參考輸入;所述合路器設(shè)置有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端,所述第一中頻源電路和第二中頻源電路的輸出端分別連接合路器的兩個(gè)輸入端;所述第一中頻源電路和第二中頻源電路均包括頻率合成電路、第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)、第一濾波放大電路、第二濾波放大電路、第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)、第三單刀雙擲開(kāi)關(guān);所述頻率合成電路的輸入端連接低相位噪聲晶振的輸出端;所述頻率合成電路的輸出端連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RFC端;所述第一濾波放大電路和第二濾波放大電路分別連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF2端和RF1端;所述第一濾波放大電路和第二濾波放大電路分別連接第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF1端和RF2端;所述第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)和第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)串聯(lián),所述第一濾波放大電路和第二濾波放大電路并聯(lián);所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RFC端與第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RFC端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述頻率合成電路包括依次串聯(lián)的小數(shù)N分頻鎖相環(huán)、第一低通濾波器、微波寬帶頻率合成器、第一高通濾波器;所述第一高通濾波器的輸出端連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RFC端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第一低通濾波器包括6個(gè)LC振蕩電路和5個(gè)LC濾波電路依次交替串聯(lián);所述小數(shù)N分頻鎖相環(huán)的輸出端連接第一個(gè)LC振蕩電路;最后一個(gè)LC振蕩電路連接的第一端與微波寬帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第一高通濾波器與第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)之間設(shè)置有數(shù)控衰減器和第一放大器;所述數(shù)控衰減器的輸入端連接第一高通濾波器的輸出端;所述數(shù)控衰減器的輸出端連接第一放大器的輸入端;所述第一放大器的輸出段連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RFC端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第一濾波放大電路包括依次串聯(lián)的第一π型衰減電路、第二低通濾波器、第二π型衰減電路、第三低通濾波器、第二放大器;所述第一π型衰減電路的輸入端連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF2端;所述第二放大器的輸出端連接第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的一個(gè)RF1端;所述第二濾波放大電路包括依次串聯(lián)的第三π型衰減電路、第四低通濾波器、第四π型衰減電路、第五低通濾波器、第三放大器;所述第三π型衰減電路與第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF2端,所述第三放大器連接第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF2端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第一π型衰減電路包括電阻R34、電阻R40、電阻R41;所述電阻R40和電阻R41的一端均接地,所述電阻R40和電阻R41的另一端分別連接在電阻R34的兩端;所述電阻R34的電阻為12R;所述電阻R40、R41的電阻均為430R;所述第二π型衰減電路和第四π型衰減電路均與第一π型衰減電路結(jié)構(gòu)相同;所述電阻R34的兩端分別連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF2端和第二低通濾波器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第三π型衰減電路包括電阻R70、電阻R75、電阻R76;所述電阻R75、電阻R76的一端均接地;所述電阻R75、電阻R76的另一端分別連接在電阻R70的兩端;所述電阻R70的電阻我5.77R;所述電阻R75和電阻R76的電阻分別為869R;所述電阻R70的兩端分別連接第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF1端和第四低通濾波器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第一π型衰減電路與第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)之間、第一π型衰減電路與第二低通濾波器之間、第三低通濾波器與第二單刀雙擲開(kāi)關(guān)之間、第三π型衰減電路與第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)之間、第三π型衰減電路與第四低通濾波器之前、第五低通濾波器與第二單刀雙之間之間均設(shè)置有過(guò)濾電容C。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF1端連接合路器的輸入端;所述第三單刀雙擲開(kāi)關(guān)的RF2端依次連接電容C1、電阻R50后接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求2~8任一項(xiàng)所述的中頻信號(hào)源電路,其特征在于:所述第一中頻源電路和第二中頻源電路輸入的本振信號(hào)參考均為100MHz;所述第一中頻源電路和第二中頻源電路的頻率合成電路合成1.9~4.3GHz的中頻信號(hào);所述第一中頻源電路和第二中頻源電路的第一單刀雙擲開(kāi)關(guān)分別將第一中頻源電路和第二中頻源電路的1.9~4.3GHz中頻信號(hào)均進(jìn)行二路分段,劃分為1.9~2.7GHz和2.7GHz~4.3GHz。
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H03L7-24 .應(yīng)用直接加在發(fā)生器上的基準(zhǔn)信號(hào)的
H03L7-26 .應(yīng)用分子、原子或亞原子粒子的能級(jí)作為頻率基準(zhǔn)的
H03L7-07 ..應(yīng)用幾個(gè)環(huán)路,例如,用于產(chǎn)生冗余時(shí)鐘信號(hào)





