[實用新型]一種碳化硅二極管元胞結構

有效

• 申請號: 201921698384.3
• 申請日: 2019-10-11
• 公開（公告）號: CN210325808U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 鄭柳
• 申請（專利權）人: 重慶偉特森電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 重慶中流知識產權代理事務所(普通合伙) 50214
• 代理人: 郭桂林

1.一種碳化硅二極管元胞結構，包括矩形元胞，矩形元胞包括P型注入區和n型區域，其特征在于，P型注入區包括中心P型注入區（1）和外側P型注入區（3），n型區域包括無注入n型區域（2），其中：中心P型注入區（1）為圓形，其位于矩形元胞中的中心；無注入n型區域（2）為圓環或圓角矩形，其與中心P型注入區（1）同心，其內側和外側分別與中心P型注入區（1）和外側P型注入區（3）相鄰；外側P型注入區（3）為矩形或圓角矩形，其位于矩形元胞中的外側。

2.根據權利要求1所述的碳化硅二極管元胞結構，其特征在于，中心P型注入區（1）的半徑為0.1um~100um。

3.根據權利要求1或2所述的碳化硅二極管元胞結構，其特征在于，無注入n型區域（2）為圓環，其外圓半徑為0.1um~500um，其外圓半徑＞其內圓半徑。

4.根據權利要求1或2所述的碳化硅二極管元胞結構，其特征在于，注入n型區域（2）為圓角矩形，其矩形平行兩邊的距離為0.1um~500um，其矩形平行兩邊的距離＞中心P型注入區（1）的直徑。

5.根據權利要求1或2所述的碳化硅二極管元胞結構，其特征在于，外側P型注入區（3）的平行兩邊的距離為0.1um~1mm。

6.根據權利要求3所述的碳化硅二極管元胞結構，其特征在于，外側P型注入區（3）的平行兩邊的距離為0.1um~1mm。

7.根據權利要求4所述的碳化硅二極管元胞結構，其特征在于，外側P型注入區（3）的平行兩邊的距離為0.1um~1mm。