[實用新型]一種電容

有效

• 申請號: 201921682148.2
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN211479868U
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 靳北彪
• 申請（專利權）人: 熵零技術邏輯工程院集團股份有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/008;H01G4/08;H01G4/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種電容，包括多孔導電體A和多孔導電體B，在所述多孔導電體A的一側敷設絕緣介質，所述多孔導電體B與所述絕緣介質對應設置形成所述多孔導電體A、絕緣介質和所述多孔導電體B依次對應設置結構。本實用新型所公開的所述電容具有結構簡單、體積小、容量大等優點，當所述電容包括至少一個電化學區域時，所述電容還可用于發電及應用于相關功能需求的單元或系統。

技術領域

本實用新型涉及電學領域，尤其涉及一種電容。

背景技術

電容在電子工業中應用非常廣泛，而且電容作為動力蓄電裝置也在廣泛應用，例如超級電容等，但是迄今為止的電容要么容量小，要么包括液體電解質，這些嚴重阻礙了電容(特別是動力電容)的更廣泛的發展與應用。如果能夠發明一種不需要液體電解質的容量大、體積小的電容將具有重要意義。因此，需要發明一種新型電容。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提出的技術方案如下：

方案1：一種電容，包括多孔導電體A和多孔導電體B，在所述多孔導電體A的一側敷設絕緣介質，所述多孔導電體B與所述絕緣介質對應設置形成所述多孔導電體A、絕緣介質和所述多孔導電體B依次對應設置結構。

方案2：在方案1的基礎上，進一步選擇性地選擇使所述多孔導電體A和所述多孔導電體B中的至少一個設為電化學區域，所述電化學區域與氧化劑供送通道和/或還原劑供送通道連通設置。

方案3：一種電容，包括多孔導電體A和多孔導電體B，在所述多孔導電體A的一側滲孔敷設絕緣介質，所述多孔導電體B與所述絕緣介質對應設置形成所述多孔導電體A、絕緣介質和所述多孔導電體B依次對應設置結構。

方案4：在方案3的基礎上，進一步選擇性地選擇使所述所述多孔導電體A和所述多孔導電體B中的至少一個設為電化學區域，所述電化學區域與氧化劑供送通道和/或還原劑供送通道連通設置。

方案5：在方案1至4中任一方案的基礎上，進一步選擇性地選擇使所述多孔導電體A和/或所述多孔導電體B設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料。

方案6：一種電容，包括多孔導電薄膜A和多孔導電薄膜B，在所述多孔導電薄膜A的一側敷設絕緣介質，所述多孔導電薄膜B與所述絕緣介質對應設置形成所述多孔導電薄膜A、絕緣介質和所述多孔導電薄膜B依次對應設置結構。

方案7：在方案6的基礎上，進一步選擇性地選擇使所述多孔導電薄膜A和多孔導電薄膜B中的至少一個設為電化學區域，所述電化學區域與氧化劑供送通道和/或還原劑供送通道連通設置。

方案8：一種電容，包括多孔導電薄膜A和多孔導電薄膜B，在所述多孔導電薄膜A的一側滲孔敷設絕緣介質，所述多孔導電薄膜B與所述絕緣介質對應設置形成所述多孔導電薄膜A、絕緣介質和所述多孔導電薄膜B依次對應設置結構。

方案9：在方案8的基礎上，進一步選擇性地選擇使多孔導電薄膜A和多孔導電薄膜B中的至少一個設為電化學區域，所述電化學區域與氧化劑供送通道和/或還原劑供送通道連通設置。

方案10：在方案6至9中任一方案的基礎上，進一步選擇性地選擇使所述多孔導電薄膜A和/或所述多孔導電薄膜B設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料。

本實用新型前述所有方案均可進一步選擇性地選擇使所述絕緣介質包括聚酰亞胺，或使所述絕緣介質設為納米金剛石材料。

本實用新型中，所述敷設可選擇性地選擇設為噴涂敷設、鍍設敷設或設為濺射敷設。

本實用新型中，所述滲孔敷設設為滲孔噴涂敷設、滲孔鍍設敷設或設為滲孔濺射敷設。