[實用新型]一種電容有效
| 申請號： | 201921682121.3 | 申請日： | 2019-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN211479867U | 公開（公告）日： | 2020-09-11 |
| 發明（設計）人： | 靳北彪 | 申請（專利權）人： | 熵零技術邏輯工程院集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/005 | 分類號： | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/08;H01G4/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100101 北京市朝*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電容 | ||
1.一種電容，包括多孔導電材料(1)，其特征在于：在所述多孔導電材料(1)的一側滲孔敷設絕緣介質(2)，在被滲孔敷設到所述多孔導電材料(1)上的多孔狀的所述絕緣介質(2)表面上滲孔敷設導電材料(3)。
2.如權利要求1所述電容，其特征在于：所述多孔導電材料(1)和所述導電材料(3)中的至少一個設為電化學區域，所述電化學區域與氧化劑供送通道和/或還原劑供送通道連通設置。
3.如權利要求1所述電容，其特征在于：所述多孔導電材料(1)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料，和/或所述導電材料(3)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料。
4.如權利要求2所述電容，其特征在于：所述多孔導電材料(1)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料，和/或所述導電材料(3)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料。
5.一種電容，包括多孔導電薄膜(4)，其特征在于：在所述多孔導電薄膜(4)的一側滲孔敷設絕緣介質(2)，在被滲孔敷設到所述多孔導電薄膜(4)上的多孔狀的所述絕緣介質(2)表面上滲孔敷設導電材料(3)。
6.如權利要求5所述電容，其特征在于：所述多孔導電薄膜(4)和所述導電材料(3)中的至少一個設為電化學區域，所述電化學區域與氧化劑供送通道和/或還原劑供送通道連通設置。
7.如權利要求5所述電容，其特征在于：所述多孔導電薄膜(4)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料，和/或所述導電材料(3)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料。
8.如權利要求6所述電容，其特征在于：所述多孔導電薄膜(4)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料，和/或所述導電材料(3)設為石墨烯、多孔碳材料、微米多孔導電材料或設為納米多孔導電材料。
9.如權利要求1至8中任一項所述電容，其特征在于：所述絕緣介質(2)包括聚酰亞胺。
10.如權利要求1至8中任一項所述電容，其特征在于：所述絕緣介質(2)設為納米金剛石材料。
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