[實(shí)用新型]一種聲波器件及濾波裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921669608.8
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN210405246U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭波華;胡念楚;賈斌
• 申請（專利權(quán)）人: 開元通信技術(shù)（廈門）有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/64
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

本申請公開了一種聲波器件，包括由下至上依次層疊的襯底，復(fù)合層，電極層，所述復(fù)合層具有預(yù)設(shè)形狀的閉合型凹槽，其中，所述復(fù)合層包括由下至上層疊的溫度補(bǔ)償層和壓電層，所述電極層位于所述凹槽以內(nèi)的所述復(fù)合層的上表面。可見，復(fù)合層具有凹槽，電極層位于凹槽以內(nèi)的復(fù)合層的上表面，當(dāng)聲波沿著橫向傳播時(shí)，聲波被位于凹槽外側(cè)的壓電層邊緣反射回來，聲波的能量被限制在電極層的下方，橫向能量泄露降低，當(dāng)聲波沿著縱向傳播時(shí)，由于襯底的聲波傳播速度高于復(fù)合層，聲波幾乎都只在復(fù)合層中傳播，不會(huì)泄露到襯底中，縱向能量泄露得到抑制，Q值提升，且溫度補(bǔ)償層的存在可減小因溫度變化導(dǎo)致的頻率偏移。本申請還提供一種有上述優(yōu)點(diǎn)的濾波裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及濾波裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種聲波器件及濾波裝置。

背景技術(shù)

聲表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是一種使用叉指電極將電能轉(zhuǎn)換成聲能，或者相反地將聲能轉(zhuǎn)換成電能的器件，廣泛應(yīng)用于濾波器、延遲線、振蕩器等。

近年來，絕緣襯底上的壓電材料因其具有較高的Q值，較好的溫度補(bǔ)償效果逐漸應(yīng)用在聲表面波器件中，聲波在橫向以及縱向上進(jìn)行振動(dòng)，能量在橫向以及縱向上存在泄露的問題，進(jìn)而使得聲表面波器件的Q值降低，并且容易出現(xiàn)因溫度變化導(dǎo)致的頻率偏移。

因此，如何降低聲表面波器件的能量泄露、提高Q值，并且降低器件的頻率偏移是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注的。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請的目的是提供一種聲波器件及濾波裝置，以降低聲波器件及濾波裝置的能量泄露，提高Q值，且減小因溫度變化導(dǎo)致的頻率偏移。

為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环N聲波器件，包括：由下至上依次層疊的襯底，復(fù)合層，電極層，所述復(fù)合層具有預(yù)設(shè)形狀的閉合型凹槽，其中，所述復(fù)合層包括由下至上層疊的溫度補(bǔ)償層和壓電層，所述電極層位于所述凹槽以內(nèi)的所述復(fù)合層的上表面。

可選的，還包括：

位于所述襯底層和所述復(fù)合層之間的聲學(xué)反射層，所述聲學(xué)反射層包括位于所述襯底層上表面的高聲阻抗層和位于所述高聲阻抗層上表面的低聲阻抗層。

可選的，還包括：

環(huán)繞在所述凹槽以內(nèi)的所述復(fù)合層的外邊緣的金屬層。

可選的，所述金屬層的寬度為：

W＝α*λ*V(1-m)/sqrt[V*(1+n)]；

式中，W為金屬層的寬度，α為系數(shù)，λ為電極層中叉指電極中叉指寬度與相鄰叉指的間隙寬度之和，V為叉指電極的聲速，m為叉指電極與金屬層的聲速差，n為叉指電極與凹槽以外的復(fù)合層的聲速差。

可選的，所述壓電層的厚度取值范圍為0.05λ至λ之間，包括端點(diǎn)值。

可選的，所述溫度補(bǔ)償層的厚度在2λ以下。

可選的，位于所述凹槽內(nèi)的所述復(fù)合層的寬度為所述叉指電極中相鄰叉指相對重疊區(qū)域的長度。

可選的，當(dāng)所述電極層為叉指電極且位于所述凹槽以內(nèi)的所述壓電層的邊與叉指延伸方向平行時(shí)，位于所述凹槽以內(nèi)的所述壓電層與叉指平行的邊與所述叉指電極的邊緣之間的距離為：

D＝(1-x)*λ/4；

式中，D為壓電層與叉指平行的邊與叉指電極的邊緣之間的距離，x為叉指電極中金屬的占空比，λ為叉指電極中叉指寬度與相鄰叉指的間隙寬度之和。

可選的，還包括：

位于所述電極層上表面的介質(zhì)層。

本申請還提供一種濾波裝置，所述濾波裝置包括至少一個(gè)上述任一種所述的聲波器件。