[實(shí)用新型]一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921668560.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210575874U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔文榮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 江蘇晟馳微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/673 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/673 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 擴(kuò)散 硼淀積 新型 石英 | ||
1.一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟,包括石英舟本體(1),其特征在于:所述石英舟本體(1)上設(shè)有一級(jí)舟槽支架(2),一級(jí)舟槽支架(2)的上方兩端對(duì)稱(chēng)設(shè)有一級(jí)石英舟槽(4),所述一級(jí)舟槽支架(2)的底部設(shè)有底部支架(3),底部支架(3)與一級(jí)舟槽支架(2)焊接連接,所述底部支架(3)的底部對(duì)稱(chēng)設(shè)有二級(jí)石英舟槽(5),
所述一級(jí)石英舟槽(4),二級(jí)石英舟槽(5)上均設(shè)有舟槽槽口,舟槽槽口的入口傾角為88度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟,其特征在于:所述石英舟本體(1)的內(nèi)部中央設(shè)有硅片放置槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟,其特征在于:所述一級(jí)舟槽支架(2)上方兩個(gè)一級(jí)石英舟槽(4)之間的水平距離為133.2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟,其特征在于:所述底部支架(3)下方的兩個(gè)二級(jí)石英舟槽(5)之間的水平距離為46.2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟,其特征在于:所述一級(jí)石英舟槽(4),二級(jí)石英舟槽(5)的長(zhǎng)期使用溫度為1150℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擴(kuò)散硼淀積新型石英舟,其特征在于:所述一級(jí)石英舟槽(4),二級(jí)石英舟槽(5)上相鄰兩個(gè)舟槽槽口的中心距離為2.38mm,舟槽槽口的槽深為11.5mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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