[實(shí)用新型]一種能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921658833.1
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN210490447U
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鐵;楊海聲;黃俊峰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市時(shí)利信電子有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/24
• 分類號(hào): H02H3/24;H02H3/20;G01R19/00
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248
• 代理人: 胡玉

1.一種能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，包括：開關(guān)電路、開關(guān)控制電路、低壓檢測電路和高壓檢測電路，所述低壓檢測電路和高壓檢測電路分別通過開關(guān)控制電路連接至所述開關(guān)電路，所述開關(guān)控制電路包括三極管Q2、電容C5和電阻R3，所述三極管Q2的集電極連接至所述開關(guān)電路，所述三極管Q2的發(fā)射極接地，所述三極管Q2的基極、電容C5的一端和電阻R3的一端分別與所述低壓檢測電路和高壓檢測電路相連接，所述電容C5的另一端和電阻R3的另一端分別接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述低壓檢測電路包括電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電阻R5和二極管D1，所述二極管的陽極連接至輸入電壓，所述二極管的陰極通過所述電阻R5連接至所述穩(wěn)壓管ZD1的陰極，所述穩(wěn)壓管ZD1的陽極通過電阻R4連接至所述三極管Q2的基極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述低壓檢測電路還包括電容C56，所述電容C56的一端連接至所述穩(wěn)壓管ZD1的陽極，所述電容C56的另一端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述高壓檢測電路包括穩(wěn)壓管ZD2、電阻R7和三極管Q3，所述穩(wěn)壓管ZD2的陰極連接至輸入電壓，所述穩(wěn)壓管ZD2的陽極通過所述電阻R7連接至所述三極管Q3的基極，所述三極管Q3的發(fā)射極接地，所述三極管Q3的集電極連接至所述三極管Q2的基極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述高壓檢測電路還包括電阻R6，所述電阻R6的一端連接至所述三極管Q3的基極，所述電阻R6的另一端接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括MOS管Q1、電阻R1和電阻R2，所述三極管Q2的集電極通過所述電阻R2連接至所述MOS管Q1的柵極，所述MOS管Q1的源極連接至輸入電源，所述MOS管Q1的漏極連接至輸出電源，所述電阻R1的一端連接至所述MOS管Q1的源極，所述電阻R1的另一端連接至所述MOS管Q1的柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括電容C1和電容C2，所述電容C1的一端和電容C2的一端分別連接至所述MOS管Q1的源極，所述電容C1的另一端和電容C2的另一端分別接地。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的能夠?qū)崿F(xiàn)高低壓檢測的過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括電容C3和電容C4，所述電容C3的一端和電容C4的一端分別連接至所述MOS管Q1的漏極，所述電容C3的另一端和電容C3的另一端分別接地。