[實(shí)用新型]一種直拉硅單晶爐平底導(dǎo)流筒

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921657480.3
• 申請(qǐng)日: 2019-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210636090U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武志軍;高潤(rùn)飛;張文霞;郭謙;霍志強(qiáng);韓凱;王勝利;張石晶;郭志榮;鐘旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B15/00
• 分類(lèi)號(hào): C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本實(shí)用新型提供一種直拉硅單晶爐平底導(dǎo)流筒，包括導(dǎo)流筒側(cè)壁部、導(dǎo)流筒過(guò)渡部和導(dǎo)流筒平底部，導(dǎo)流筒側(cè)壁部、導(dǎo)流筒過(guò)渡部與導(dǎo)流筒平底部依次連接，其中，導(dǎo)流筒側(cè)壁部、導(dǎo)流筒過(guò)渡部與導(dǎo)流筒平底部均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，導(dǎo)流筒平底部的直徑小于導(dǎo)流筒側(cè)壁部的直徑，且導(dǎo)流筒平底部與導(dǎo)流筒側(cè)壁部同軸線設(shè)置，以便減小硅溶液液面與導(dǎo)流筒之間的間隙。本實(shí)用新型的有益效果是具有導(dǎo)流筒平底部，導(dǎo)流筒與液面縫隙降少，氣體流速加快，可快速帶走揮發(fā)出的氧，可有效降低大尺寸單晶氧含量，提升大尺寸單晶品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于直拉單晶技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種直拉硅單晶爐平底導(dǎo)流筒。

背景技術(shù)

直拉法生長(zhǎng)單晶硅是目前生產(chǎn)單晶硅最廣泛的應(yīng)用技術(shù)，隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，單晶品質(zhì)要求更加嚴(yán)格，且大尺寸單晶品質(zhì)要求較高，因此現(xiàn)單晶硅制造商需要更高的品質(zhì)。而為了維持單晶正常生長(zhǎng)需要增加導(dǎo)流筒，因此導(dǎo)流筒成為當(dāng)前直拉單晶爐的重要系統(tǒng)之一。導(dǎo)流筒的的主要作用是：

第一、隔絕加熱器對(duì)單晶的熱輻射，保證單晶生長(zhǎng)所需的溫度梯度，保證單晶穩(wěn)定的成晶率；

第二、保證爐內(nèi)保護(hù)氣體的流動(dòng)方向，避免形成漩渦，加速液面表面的氣體流速，加快帶走揮發(fā)雜質(zhì)；

其不足在于：現(xiàn)有導(dǎo)流筒的結(jié)構(gòu)為碗狀結(jié)構(gòu)，具有側(cè)壁和與側(cè)壁底部連接的圓弧段，因而在液面上方空隙較大，氣體流速較低，拉制大尺寸單晶時(shí)，液面揮發(fā)面積降低，導(dǎo)致氧含量偏高。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問(wèn)題，本實(shí)用新型要解決的問(wèn)題是提供一種直拉硅單晶爐平底導(dǎo)流筒，尤其適合直拉單晶使用，具有導(dǎo)流筒平底部，導(dǎo)流筒與液面縫隙降少，氣體流速加快，可快速帶走揮發(fā)出的氧，可有效降低大尺寸單晶氧含量，提升大尺寸單晶品質(zhì)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種直拉硅單晶爐平底導(dǎo)流筒，包括導(dǎo)流筒側(cè)壁部、導(dǎo)流筒過(guò)渡部和導(dǎo)流筒平底部，導(dǎo)流筒側(cè)壁部、導(dǎo)流筒過(guò)渡部與導(dǎo)流筒平底部依次連接，其中，

導(dǎo)流筒側(cè)壁部、導(dǎo)流筒過(guò)渡部與導(dǎo)流筒平底部均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，導(dǎo)流筒平底部的直徑小于導(dǎo)流筒側(cè)壁部的直徑，且導(dǎo)流筒平底部與導(dǎo)流筒側(cè)壁部同軸線設(shè)置，以便減小硅溶液液面與導(dǎo)流筒之間的間隙。

進(jìn)一步的，導(dǎo)流筒側(cè)壁部與導(dǎo)流筒平底部垂直設(shè)置。

進(jìn)一步的，導(dǎo)流筒平底部為平面結(jié)構(gòu)，且導(dǎo)流筒平底部設(shè)有通孔。

進(jìn)一步的，通孔與導(dǎo)流筒側(cè)壁部同軸線設(shè)置。

進(jìn)一步的，導(dǎo)流筒過(guò)渡部包括圓弧過(guò)渡部和直壁過(guò)渡部，其中，

圓弧過(guò)渡部一端與導(dǎo)流筒側(cè)壁部連接，另一端與直壁過(guò)渡部的一端連接，直壁過(guò)渡部的另一端與導(dǎo)流筒平底部連接，便于導(dǎo)流筒側(cè)壁部與導(dǎo)流筒平底部連接。

進(jìn)一步的，導(dǎo)流筒側(cè)壁部與圓弧過(guò)渡部的連接處和導(dǎo)流筒平底部同平面設(shè)置。

進(jìn)一步的，導(dǎo)流筒側(cè)壁部與圓弧過(guò)渡部的連接處和導(dǎo)流筒平底部異面設(shè)置。

進(jìn)一步的，平底導(dǎo)流筒還包括連接部，連接部與導(dǎo)流筒側(cè)壁部連接，便于平底導(dǎo)流筒與單晶爐蓋連接。

由于采用上述技術(shù)方案，使得導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有導(dǎo)流筒平底部，導(dǎo)流筒與硅溶液液面距離減小，液面上方的氣體流動(dòng)速度加快，能夠快速帶走揮發(fā)出的氧，增加氣體帶走的揮發(fā)氧的速率，可有效降低大尺寸單晶氧含量，提升大尺寸單晶品質(zhì)；

具有導(dǎo)流筒平底部，增加導(dǎo)流筒內(nèi)部空間，能夠增加導(dǎo)流筒保溫厚度，更好的隔絕加熱器對(duì)單晶的熱輻射，增加大尺寸單晶的溫度梯度，提高大尺寸單晶生長(zhǎng)拉速。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的一實(shí)施例的導(dǎo)流筒過(guò)渡部結(jié)構(gòu)示意圖；