[實(shí)用新型]一種超大尺寸單晶硅片的清洗系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921657478.6 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN211914783U | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王冬雪;孫小杰;王大偉;黃磊;郭成鋼 | 申請(專利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/08 | 分類號: | B08B3/08;B08B3/12;B08B11/00;B08B13/00 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 超大 尺寸 單晶硅 清洗 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型提供一種超大尺寸單晶硅片的清洗系統(tǒng),包括預(yù)清洗部和慢提拉部,還包括第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、第三藥液清洗部和第二溢流清洗部,預(yù)清洗部、第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、第三藥液清洗部、第二溢流清洗部與慢提拉部依次設(shè)置,并通過移動抓取裝置連通,對硅片依次進(jìn)行清洗;慢提拉部以一定傾斜角度傾斜設(shè)置,以使得硅片表面水分拉干;第一藥液清洗部中的藥液為清洗劑溶液;第二藥液清洗部中的藥液為高濃度清洗藥液溶液;第三藥液清洗部中的藥液為低濃度清洗藥液溶液。本實(shí)用新型的有益效果是對硅片進(jìn)行三次藥液清洗,硅片表面潔凈度高,提高硅片表面潔凈度,提升后續(xù)電池片的轉(zhuǎn)化效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種超大尺寸單晶硅片的清洗系統(tǒng)。
背景技術(shù)
目前超大尺寸硅片加工已成為光伏后續(xù)發(fā)展趨勢。但硅片尺寸變大以后,特別是直徑大于270mm硅片的清洗,按照目前清洗方式,臟片比例上升。雖然,采用延長清洗的時間、加大藥液(清洗劑、化學(xué)品)的用量、增加溢流量可以達(dá)到清洗目的,但成本會上升。
實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于上述問題,本實(shí)用新型要解決的問題是提供一種超大尺寸單晶硅片的清洗系統(tǒng),尤其適合超大尺寸單晶硅片的清洗,對硅片依次進(jìn)行第一藥液清洗、第二藥液清洗和第三藥液清洗,硅片表面潔凈度高,硅片表面金屬離子殘留較少,提高后續(xù)電池片的轉(zhuǎn)化效率。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種超大尺寸單晶硅片的清洗系統(tǒng),包括預(yù)清洗部和慢提拉部,還包括第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、第三藥液清洗部和第二溢流清洗部,預(yù)清洗部、第一藥液清洗部、第一溢流清洗部、第二藥液清洗部、第三藥液清洗部、第二溢流清洗部與慢提拉部依次設(shè)置,并通過移動抓取裝置連通,對硅片依次進(jìn)行清洗;以及,
慢提拉部以一定傾斜角度傾斜設(shè)置,以使得硅片表面水分拉干;
其中,第一藥液清洗部中的藥液為清洗劑溶液;
第二藥液清洗部中的藥液為高濃度清洗藥液溶液;
第三藥液清洗部中的藥液為低濃度清洗藥液溶液。
進(jìn)一步的,第一藥液清洗部包括第一超聲藥液清洗部和第二超聲藥液清洗部,第一超聲藥液清洗部與第二超聲藥液清洗部依次設(shè)置,對硅片進(jìn)行超聲藥液清洗;其中,
第一超聲藥液清洗部與第二超聲藥液清洗部均設(shè)有清洗劑溶液。
進(jìn)一步的,清洗劑溶液為3%-5%的清洗劑。
進(jìn)一步的,高濃度清洗藥液溶液為雙氧水和氫氧化鉀溶液,其中,
雙氧水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%-40%,氫氧化鉀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%-50%;
雙氧水的濃度為4.5vol%-5.5vol%,氫氧化鉀的濃度為1.0vol%-1.5vol%。
進(jìn)一步的,低濃度清洗藥液溶液為雙氧水和氫氧化鉀溶液,其中,
雙氧水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%-40%,氫氧化鉀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%-50%;
雙氧水的濃度為1.5vol%-1.8vol%,氫氧化鉀的濃度為0.3vol%-0.5vol%。
進(jìn)一步的,第二藥液清洗部與第三藥液清洗部均設(shè)有鼓泡清洗部。
進(jìn)一步的,第二溢流清洗部包括第一超聲溢流部、第二超聲溢流部和第三超聲溢流部,第一超聲溢流部、第二超聲溢流部與第三超聲溢流部依次設(shè)置,對硅片依次進(jìn)行清洗;
其中,第一超聲溢流部、第二超聲溢流部與第三超聲溢流部均設(shè)有純水。
進(jìn)一步的,傾斜角度為5°-15°。
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