[實用新型]圖像傳感器的半導體結構、芯片及電子裝置有效
| 申請號: | 201921650250.4 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN209729909U | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 陳經緯 | 申請(專利權)人: | 深圳市匯頂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N9/04 |
| 代理公司: | 11592 北京天馳君泰律師事務所 | 代理人: | 孟銳<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 518045 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 輸出電路 半導體結構 浮置擴散區 圖像傳感器 像素組 襯底 半導體 光敏傳感器 對角 錯位設置 電子裝置 像素共享 像素共用 申請 包圍 圖像 芯片 共享 延伸 | ||
本申請公開了一種圖像傳感器的半導體結構及相關芯片和電子裝置。半導體結構包括半導體襯底和設置于半導體襯底的若干個像素組,每個像素組包括:位于同一行且相鄰的第一像素及第二像素,位于另一行且相鄰的第三像素及第四像素,第一像素及第三像素為對角錯位設置,每個像素各自均包括四個子像素,每個像素里的四個子像素共用浮置擴散區且浮置擴散區被四個子像素的光敏傳感器包圍,第一像素和第三像素的輸出電路共享,第一像素和第三像素共享的輸出電路位于第一像素及第三像素之間且延伸至第一像素的左側/右側和第三像素的右側/左側,本申請可提高圖像傳感器的圖像質量并改善輸出電路的效能。
技術領域
本申請涉及一種圖像傳感器的半導體結構及相關芯片和電子裝置,尤其涉及一種能增加源跟隨晶體管的溝道長度的圖像傳感器的半導體結構及相關芯片和電子裝置。
背景技術
CMOS圖像傳感器已經得到大規模生產和應用,隨著畫質要求的提升,像素的數目也越來越大,為了盡量在有限的面積中增加像素的數目,單位像素的尺寸要盡可能地縮小,也就是說,單位像素中的光敏傳感器和輸出電路的尺寸都要跟著縮小。
然而,將輸出電路的尺寸縮小,往往會影響到輸出電路的效能,因此,如何兼顧面積與效能,已成為本領域的一個重要的工作項目。而且,現有技術中的CMOS圖像傳感器易出現影像失調的問題。
實用新型內容
本申請的目的之一在于公開一種圖像傳感器的半導體結構及相關芯片和電子裝置,來解決上述問題。
本申請的一實施例公開了一種圖像傳感器的半導體結構,所述圖像傳感器的半導體結構包括:半導體襯底和設置于所述半導體襯底的若干個像素組,每個像素組包括:位于同一行且相鄰的第一像素及第二像素,位于另一行且相鄰的第三像素及第四像素,所述第一像素及第三像素為對角錯位設置且第一像素及第三像素均為綠色像素;所述第一像素、第二像素、第三像素及第四像素各自均包括四個按照兩行兩列排列的子像素,每個像素里的四個子像素共用浮置擴散區且所述浮置擴散區被所述四個子像素的光敏傳感器包圍,所述光敏傳感器用來將光線轉換為電荷;所述第一像素和所述第三像素的輸出電路共享,所述第一像素和所述第三像素共享的所述輸出電路位于所述第一像素及第三像素之間且延伸至所述第一像素的左側/右側和所述第三像素的右側/左側,所述輸出電路的一部分相鄰所述第一像素的光敏傳感器,所述輸出電路的另一部分相鄰所述第三像素的光敏傳感器,所述輸出電路用來依據所述電荷產生像素輸出,所述輸出電路包括第一源跟隨晶體管;其中,從俯視圖來看,所述第一源跟隨晶體管跨越所述第一像素及第三像素的分界并至少延伸至與所述第一像素的左側/右側的光敏傳感器相鄰,且至少延伸至與所述第三像素的右側/左側的光敏傳感器相鄰。
本申請的一實施例公開了一種芯片,包括上述的圖像傳感器的半導體結構。
本申請的一實施例公開了一種電子裝置,包括上述的圖像傳感器的半導體結構。
本申請實施例針對圖像傳感器的半導體結構的輸出電路之配置方式進行改良,可降低面積并改善輸出電路的效能。
附圖說明
圖1為本申請的圖像傳感器的半導體結構的實施例的俯視圖。
圖2為圖1的圖像傳感器的像素的電路圖。
圖3為基于圖1的圖像傳感器的半導體結構的拜耳像素組的第一實施例的俯視圖。
圖4為基于圖1的圖像傳感器的半導體結構的拜耳像素組的第二實施例的俯視圖。
圖5為本申請的圖像傳感器應用于電子裝置中的實施例的示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
600 圖像傳感器
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市匯頂科技股份有限公司,未經深圳市匯頂科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921650250.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種改善白色像素點的隔離結構
- 下一篇:一種OLED型顯示面板母板
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





