[實用新型]一種垂直導通氮化鎵功率二極管有效
| 申請號： | 201921647785.6 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN211045445U | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發明（設計）人： | 敖金平;李柳暗 | 申請（專利權）人： | 寧波錸微半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/15;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京細軟智谷知識產權代理有限責任公司 11471 | 代理人： | 劉業芳 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 氮化 功率 二極管 | ||
1.一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：包括襯底、以及依次生長在所述襯底上的成核層、超晶格應力緩沖層、GaN漂移層、掩膜層；所述襯底和所述GaN漂移層上還分別沉積有電學接觸不同的第一電極和第二電極。
2.根據權利要求1所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述超晶格應力緩沖層為摻雜AlN/GaN超晶格，所述摻雜AlN/GaN超晶格為通過在AlN/GaN超晶格中摻雜鍺元素或硅元素形成的摻雜AlN/GaN超晶格。
3.根據權利要求1所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述成核層為AlN、AlGaN以及GaN中的一種。
4.根據權利要求1所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述GaN漂移層為摻雜有鍺元素或者硅元素的GaN層。
5.根據權利要求1所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述襯底為硅襯底，所述掩膜層為SiO2。
6.根據權利要求1所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：還包括多個場限環，所述掩膜層上刻蝕有貫穿所述掩膜層的多個第一凹槽，多個第一凹槽設于所述第二電極的兩側，所述場限環沉積在所述第一凹槽中并伸出所述第一凹槽。
7.根據權利要求6所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述第一凹槽切入所述漂移層內部。
8.根據權利要求1所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述掩膜層中部刻蝕有貫穿所述掩膜層的第二凹槽，所述第二電極沉積在所述第二凹槽中。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的一種垂直導通氮化鎵功率二極管，其特征在于：所述第一電極為歐姆電極，所述第二電極為肖特基電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寧波錸微半導體有限公司，未經寧波錸微半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921647785.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
