[發(fā)明專利]一種改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011344307.5
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112420594A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 歐少敏;馮大貴;吳長明
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明提供一種改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法，提供硅基底，在硅基底上形成一硬掩膜層；刻蝕硬掩膜層至露出硅基底上表面為止，形成硬掩膜圖形；在硅基底上表面堆積聚合物，在硬掩膜圖形的根部形成圓角結構；沿硬掩膜圖形刻蝕所述硅基底，形成側(cè)壁結構均一的溝槽。本發(fā)明通過在硅基底上的硬掩膜圖形的根部堆積聚合物，使得刻蝕形成的溝槽側(cè)壁結構均一，避免產(chǎn)生溝槽側(cè)壁側(cè)掏的現(xiàn)象。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法。

背景技術

Power MOS溝槽(trench)刻蝕過程中，由于硅(Si)對硬掩膜(hard mask)的選擇刻蝕比較高，如果溝槽(trench)的側(cè)壁保護不足，容易產(chǎn)生側(cè)掏(undercut)的現(xiàn)象。如圖1所示，圖1顯示為傳統(tǒng)溝槽刻蝕工藝中產(chǎn)生側(cè)掏的電子顯微鏡示意圖。

因此，需要提出一種新的方法用于解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法，用于解決現(xiàn)有技術中由于硅對硬掩膜選擇刻蝕比高，從而使得溝槽側(cè)壁產(chǎn)生側(cè)掏的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供硅基底，在所述硅基底上形成一硬掩膜層；

步驟二、刻蝕所述硬掩膜層至露出所述硅基底上表面為止，形成硬掩膜圖形；

步驟三、在所述硅基底上表面堆積聚合物，在所述硬掩膜圖形的根部形成圓角結構；

步驟四、沿所述硬掩膜圖形刻蝕所述硅基底，形成側(cè)壁結構均一的硅結構。

優(yōu)選地，步驟三中的通過CHF₃與O₂在所述硅基底表面堆積聚合物。

優(yōu)選地，步驟三中的所述CHF₃與O₂中O₂的含量小于CHF₃的含量。

優(yōu)選地，步驟三中的通過CH₃F與O₂在所述硅基底表面堆積聚合物。

優(yōu)選地，步驟三中的所述CH₃F與O₂中O₂的含量小于CH₃F的含量。

優(yōu)選地，步驟三中的通過CHF₃與、CH₃F與O₂在所述硅基底表面堆積聚合物。

優(yōu)選地，步驟三中所述CHF₃與、CH₃F的含量之和大于O₂的含量。

優(yōu)選地，步驟四中刻蝕所述硅基底后，形成的所述硅結構頂部還有剩余硬掩膜圖形。

優(yōu)選地，步驟四中采用干法刻蝕的方法刻蝕所述硅基底。

如上所述，本發(fā)明的改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法，具有以下有益效果：本發(fā)明通過在硅基底上的硬掩膜圖形的根部堆積聚合物，使得刻蝕形成的溝槽側(cè)壁結構均一，避免產(chǎn)生溝槽側(cè)壁側(cè)掏的現(xiàn)象。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明的硅基底上形成有硬掩膜圖形的結構示意圖；

圖2顯示為本發(fā)明中在硅基底上堆積聚合物形成圓角結構的結構示意圖；

圖3顯示為本發(fā)明中刻蝕硅基底形成溝槽的結構示意圖；

圖4顯示為本發(fā)明的改善溝槽刻蝕產(chǎn)生側(cè)掏的方法流程圖。

具體實施方式