[實用新型]一種脊波導激光器有效
| 申請號: | 201921644490.3 | 申請日: | 2019-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN210838447U | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 陳云飛;韓宇;陳志標 | 申請(專利權)人: | 武漢云嶺光電有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/22 | 分類號: | H01S5/22 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 吳靜 |
| 地址: | 430223 湖北省武漢市東湖新技術開發*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 波導 激光器 | ||
本實用新型涉及半導體激光器技術領域,提供了一種脊波導激光器,包括本體,所述本體具有襯底以及可設于所述襯底上的脊形結構,所述脊形結構包括管芯脊以及設于所述管芯脊兩側的保護脊,兩個所述保護脊均位于所述本體的其中一個出光側,所述管芯脊上制作有p型電極。本實用新型的一種脊波導激光器,通過在管芯脊兩側設保護脊,可以形成起緩沖作用的管芯脊保護區,有效降低解離過程中產生的脊損。
技術領域
本實用新型涉及半導體激光器技術領域,具體為一種脊波導激光器。
背景技術
解理是半導體激光器制備領域必需的一步,半導體激光器芯片制備分為幾個過程,首先采用砷化鎵或磷化銦襯底作為外延結構,并生長為外延片;在外延結構正面采用蒸餾、濺射和光刻等工藝手段得到正面電極結構,然后經過研磨,制備背面電極結構;在制備完成后,通過劃裂片方式,在半導體材料的自然解理面形成出光端面,得到bar條,再進行鍍膜并以增透膜端面為出光端面;最后再通過劃裂片得到半導體激光器芯片。在進行劃裂片的過程中,可能會對脊產生損傷,影響實際工藝的良率。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種脊波導激光器,通過在管芯脊兩側設保護脊,可以形成起緩沖作用的管芯脊保護區,有效降低解離過程中產生的脊損。
為實現上述目的,本實用新型實施例提供如下技術方案:一種脊波導激光器,包括本體,所述本體具有襯底以及可設于所述襯底上的脊形結構,所述脊形結構包括管芯脊以及設于所述管芯脊兩側的保護脊,兩個所述保護脊均位于所述本體的其中一個出光側,所述管芯脊上制作有p型電極。
進一步,所述管芯脊以及兩個所述保護脊三者兩兩平行設置。
進一步,沿所述本體的其中一個出光側至另外一個出光側方向,所述管芯脊的長度大于兩個所述保護脊的長度。
進一步,沿垂直于所述本體的其中一個出光側至另外一個出光側方向,兩個所述保護脊的長度均大于所述管芯脊的長度。
進一步,所述本體的另外一個出光側也設有兩個所述保護脊,兩個所述保護脊分別設于所述管芯脊的兩側。
進一步,所述管芯脊以及位于所述本體的另外一個出光側的兩個所述保護脊三者兩兩平行設置。
進一步,所述管芯脊的兩側均開設有第一脊溝,兩個所述第一脊溝均貫通所述本體的兩個出光側。
進一步,于所述本體的其中一個出光側處開設兩個第二脊溝,兩個所述第一脊溝位于兩個所述第二脊溝之間。
進一步,沿垂直于所述本體的其中一個出光側至另外一個出光側方向,任一所述第二脊溝的長度等于任一所述第一脊溝的長度。
進一步,所述本體還具有沿高度方向依次生長的下限制層、有源區、上限制層以及陽極氧化層,所述下限制層生長在所述襯底上,所述脊形結構生長在所述陽極氧化層上。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:一種脊波導激光器,通過在管芯脊兩側設保護脊,可以形成起緩沖作用的管芯脊保護區,有效降低解離過程中產生的脊損。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例提供的一種脊波導激光器的立體示意圖;
圖2為本實用新型實施例提供的一種脊波導激光器的局部放大細節示意圖;
附圖標記中:1-本體;10-襯底;11-管芯脊;12-保護脊;13-出光側;14-p型電極;15-第一脊溝;16-第二脊溝;17-下限制層;18-有源區;19-上限制層;20-陽極氧化層。
具體實施方式
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